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申请/专利权人：星钥(珠海)半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种化学机械研磨方法及系统，该方法包括以下步骤：将晶圆的待研磨区域在第一研磨盘上通过施加第一预设压力进行研磨，得到第一研磨晶圆；将第一研磨晶圆的未研磨区域在第二研磨盘上通过施加第二预设压力进行研磨，直至第一研磨晶圆满足厚度要求；其中：所述第一研磨盘采用硬研磨垫，所述第二研磨盘采用软研磨垫。本发明提供的一种化学机械研磨方法及系统，其在第一个研磨盘保持硬研磨垫的基础上，第二个研磨盘采用软研磨垫进行研磨，可以有效改善晶圆的刮伤情况，提升晶圆研磨的平坦度。
主权项：1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：将晶圆的待研磨区域在第一研磨盘上通过施加第一预设压力进行研磨，得到第一研磨晶圆；将第一研磨晶圆的未研磨区域在第二研磨盘上通过施加第二预设压力进行研磨，直至第一研磨晶圆满足厚度要求；其中：所述第一研磨盘采用硬研磨垫，所述第二研磨盘采用软研磨垫。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 星钥(珠海)半导体有限公司 一种化学机械研磨方法及系统
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