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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供改善OISF的拉晶方法，属于缺陷改善方法的技术领域，通过调整液口距，降低径向温度梯度，使得热对流稳定，建立液口距与OISF之间的关系，使得不同的液口距对应不同的OISF，以根据OISF的水平调整液口距，液口距调整简单、便捷且准确，使得拉制晶棒的OISF符合要求。
主权项：1.一种改善OISF的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤：通过调整液口距，建立液口距与OISF之间的关系，使得不同的液口距对应不同的OISF，以根据OISF的水平调整液口距。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 改善OISF的拉晶方法
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