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申请/专利权人：杭州电子科技大学

摘要：本发明公开了一种金纳米球自组装超晶格表面增强拉曼光谱基底的制备方法，首先通过种子生长法合成大小均匀且分散性好的金纳米球，加入含有PS‑SH的THF溶液，超声两小时，静置，修饰后的金纳米球后经过离心、超声，最后分散于甲苯溶液里面，使用移液器将含有修饰后的金纳米球的甲苯溶液滴加到含有DEG溶液的聚四氟乙烯模具中，在模具上用玻璃片覆盖，静置，通过在模具的孔角用注射泵控制DEG与乙腈以恒定速率交换亚相，以及用注射器将目标配体的浓缩溶液注入亚相中实现配体交换，使用硅片让超晶格吸附在硅片表面。本发明解决了现有方法制备的SERS基底均匀性和稳定性差，灵敏度低的问题。

主权项：1.一种金纳米球自组装超晶格表面增强拉曼光谱基底的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将0.01M的HAuCl4溶液0.25mL与0.1M的CTAB溶液9.75mL混合后，加入0.01M的NaBH4溶液0.6mL混合，获得种子溶液；将种子溶液注射到将由0.1MCTAB溶液9.75mL与0.01MHAuCl4溶液4mL、超纯水190mL、0.1M的AA15mL组成的生长溶液中，混合均匀后静置，得到含有小金纳米球的分散液U，并将小金纳米球洗涤后分散至水中，得到小金纳米球溶液,使小金纳米球的浓度为所述分散液U中小金纳米球浓度的4倍，所述小金纳米球的粒径范围为：25～35nm；S2：金纳米多面体的生长：S20：将0.2～0.7ml步骤S1所得的小金纳米球溶液，分散在0.025M的CTAC溶液中，得到分散液A，小金纳米球溶液与CTAC溶液的用量比例是1:60；S21：向分散液A中加入0.1M的AA0.75mL、0.01M的HAuCl4溶液1.5mL，在一定温度下进行搅拌后离心，得到金纳米多面体；将金纳米多面体分散在CTAB溶液中，得到分散液B；所述CTAB溶液的浓度为0.02M,用量为30mL；S3：制备直径较大的金纳米球并使所述金纳米球的表面变光滑：S30：将S2所得的分散液B与0.2mL0.01M的HAuCl4溶液进行混合，在一定温度下进行搅拌，得到分散液C，所述分散液C中含有直径较大的金纳米球，所述直径较大的金纳米球的直径尺寸均匀，且直径范围在50-120nm之间；S4：在金纳米球表面修饰PS-SH，得到修饰后的金纳米球：S5：加入DEG，使修饰后金纳米球在甲苯相与DEG相界面上进行自组装并实现单层沉积，得到紧密排列的单层金纳米球：S6:将紧密排列的单层金纳米球转移到硅衬底上，得到表面增强拉曼光谱基底。

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