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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属上方的中部设置有栅极介质，所述栅极介质的外侧设置有n+衬底，所述n+衬底的上方设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层的上方设置有Si‑低阻层，所述Si‑低阻层的上方设置有n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属，所述栅极介质的介质槽内设置有栅极金属。通过采用纵向自下而上的结构设计，结合了沟槽栅技术，有效增强了栅极的控制能力，同时通过在n+源区下方引入Si‑低阻层，显著降低了导通电阻；电流阻挡层的宽禁带氧化镓材料使得器件能够承受更高的电压，同时减小了漏电流，不仅提高了器件的性能，也降低了制造成本。
主权项：1.一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属上方的中部设置有栅极介质，所述栅极介质的外侧设置有位于漏极金属上方的n+衬底，所述n+衬底的上方设置有位于栅极介质外侧的电流阻挡层，所述电流阻挡层的上方设置有Si-低阻层，所述Si-低阻层的上方设置有位于栅极介质外侧的n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属；所述栅极介质的介质槽内设置有栅极金属，所述栅极金属与n+源区、栅极介质的高度齐平。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件及其制备方法
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