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氮化物半导体装置 

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申请/专利权人:罗姆股份有限公司

摘要:氮化物半导体装置10包括电子渡越层16、电子供给层18、包含受主型杂质的栅极层22、栅极电极24、钝化层26、源极电极、漏极电极34、以及场板电极36。场板电极36在栅极层22与漏极电极34之间形成在钝化层26上。栅极层22包括栅极电极24所在的脊部40、从脊部40延伸的源极侧延伸部42、以及从脊部40向与源极侧延伸部42相反的一侧延伸的漏极侧延伸部44。钝化层26包括在漏极侧延伸部44的正上方不与场板电极36重叠的场板非重叠区域26RA。

主权项:1.一种氮化物半导体装置,其特征在于,具备:电子渡越层,其由氮化物半导体构成;电子供给层,其由具有比上述电子渡越层大的带隙的氮化物半导体构成在上述电子渡越层上;栅极层,其由包含受主型杂质的氮化物半导体形成于上述电子供给层上的一部分;栅极电极,其形成在上述栅极层上;钝化层,其覆盖上述电子供给层、上述栅极层以及上述栅极电极,并且包括第一开口部以及第二开口部;源极电极,其经由上述第一开口部而与上述电子供给层相接;漏极电极,其经由上述第二开口部而与上述电子供给层相接;以及场板电极,其在上述栅极层与上述漏极电极之间形成在上述钝化层上,上述栅极层包括:上述栅极电极所在的脊部;从上述脊部朝向上述第一开口部延伸的源极侧延伸部;以及从上述脊部朝向上述第二开口部延伸的漏极侧延伸部,上述钝化层包括在上述漏极侧延伸部的正上方不与上述场板电极重叠的场板非重叠区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 罗姆股份有限公司 氮化物半导体装置

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