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申请/专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;株式会社村田制作所
摘要：半导体纳米粒子由Ag‑Ge‑S系化合物半导体形成。而且，Ag成分与Ge成分的含有比换算成摩尔比率为1.0以上且小于7.5，优选为1.8以上且小于7.3，平均粒径为9nm以下，粒径的最大值与最小值的差被抑制为3nm以下。该半导体纳米粒子在700～1000nm的近红外区发光。半导体纳米粒子在150℃以上且小于250℃、优选为220℃以下的反应温度下合成。可以将上述化合物半导体作为核粒子，在核粒子的表面形成被覆层。发光体含有该半导体纳米粒子。由此实现安全且容易处理并且能够在近红外区发光的半导体纳米粒子、该半导体纳米粒子的制造方法以及能够应用于消费品、医疗、保健用药品等各种领域的发光体。
主权项：1.一种半导体纳米粒子，其特征在于，由以Ag成分、Ge成分和S成分为主成分的化合物半导体形成，并且所述Ag成分与所述Ge成分的含有比换算成摩尔比率为1.0以上且小于7.5，平均粒径为9nm以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立大学法人东海国立大学机构 株式会社村田制作所 半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体
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