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一种三维存储器、参考电压提供方法及设备 

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申请/专利权人:华为技术有限公司

摘要:一种三维存储器、参考电压提供方法及设备,涉及存储技术领域,用于解决了因为存储单元物理层的尺寸、工艺和性能等不一致而影响读取的正确率的问题。该三维存储器,包括:层叠设置的多个存储单元物理层,每个存储单元物理层包括多行多列的存储单元,该多个存储单元物理层包括第一存储单元物理层和第二存储单元物理层;多个位线和多个字线,与该多个存储单元物理层耦合;参考电压提供电路,用于通过位线为第一存储单元物理层提供第一参考电压,通过位线为第二存储单元物理层提供第二参考电压,第一参考电压和第二参考电压不同。

主权项:1.一种三维存储器,其特征在于,包括:层叠设置的多个存储单元物理层,每个存储单元物理层包括多行多列的存储单元,所述多个存储单元物理层包括第一存储单元物理层和第二存储单元物理层;多个位线和多个字线,与所述多个存储单元物理层耦合;参考电压提供电路,用于通过所述位线为所述第一存储单元物理层提供第一参考电压,通过所述位线为所述第二存储单元物理层提供第二参考电压,所述第一参考电压和所述第二参考电压不同。

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