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申请/专利权人:国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
摘要:本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种α‑羟基氧化镓纳米线、α‑三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种α‑羟基氧化镓纳米线,所述α‑羟基氧化镓纳米线的长度为1~30μm,直径为10~100nm。本发明提供的α‑羟基氧化镓纳米线尺寸小且形状规则,具有高质量一维纳米结构。同时,本发明提供的α‑三氧化二镓纳米线晶体材料的制备方法采用弱相互作用诱导策略制备了高质量的一维α‑羟基氧化镓纳米线结构。
主权项:1.一种α-羟基氧化镓纳米线,其特征在于,所述α-羟基氧化镓纳米线的长度为1~30μm,直径为10~100nm。
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百度查询: 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用
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