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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域，具体为一种用于抑制高频正负串扰并降低死区损耗的GaN功率器件驱动电路。所述驱动电路包括可调中间电平和负压模块。所述可调中间电平用于产生GaN功率管栅极驱动的可变中间电平，以降低反向导通损耗和抑制负串扰电压，所述负压模块用于产生GaN功率管栅极驱动的负电压，以抑制正串扰电压。本发明中的GaN功率管栅极驱动信号在开通到关断侧和关断到开通侧的死区时间内的电压均高于0V，低于GaN功率管正向导通的阈值电压，从而能够显著降低死区时间内的反向导通损耗，此外，该电压还可以根据不同阈值电压的功率器件进行灵活调节，适用不同型号的GaN功率管。
主权项：1.一种用于抑制高频正负串扰并降低死区损耗的GaN功率器件驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括可调中间电平和负压模块，所述可调中间电平用于产生GaN功率管栅极驱动的可变中间电平，以降低反向导通损耗和抑制负串扰电压，所述负压模块用于产生GaN功率管栅极驱动的负电压，以抑制正串扰电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种用于抑制高频正负串扰并降低死区损耗的GaN功率器件驱动电路
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