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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种基于原位生长SiN技术的GaN单片集成限幅低噪声放大器及其制造方法，在基于原位生长SiN层的GaN基有限势垒异质结外延结构上集成GaNSBD限幅单元和GaNHEMT低噪声放大单元，一方面，通过直接在异质结上原位生长SiN绝缘层，减小界面态密度，促进二维电子气的形成，减少电流崩塌；一方面，利用原位生长SiN层作为低噪放单元中HEMT器件的栅介质层，有效调节HEMT器件的阈值电压，增强限幅低噪放芯片整体的功率处理能力和稳定性。此外，有限势垒异质结极大提高限幅单元的耐功率能力。本发明方法简化了材料生长和芯片制备过程，芯片一致性与可靠性更高。
主权项：1.一种基于原位生长SiN技术的GaN单片集成限幅低噪声放大器，其特征在于：从下到上依次包括衬底、GaN缓冲层和有限势垒层，所述有限势垒层的部分上表面设有HEMT器件源极、HEMT器件漏极和SBD器件阴极，所述有限势垒层的剩余上表面设有原位生长SiN层，所述SBD器件阴极与HEMT器件漏极之间的原位生长SiN层内设有隔离区，所述隔离区一端面与原位生长SiN层上表面平齐，且另一端面延伸至GaN缓冲层，所述HEMT器件源极与HEMT器件漏极之间的原位生长SiN层上设有HEMT器件栅极，所述HEMT器件源极、HEMT器件漏极、SBD器件阴极和HEMT器件栅极的部分上表面均设有互联线和微带线，所述原位生长SiN层的上表面、HEMT器件源极、HEMT器件漏极、SBD器件阴极和HEMT器件栅极的剩余部分上表面以及隔离区的上表面设有钝化层，所述SBD器件阴极远离HEMT器件漏极的一侧的钝化层至原位生长SiN层开设有SBD阳极凹槽，所述SBD阳极凹槽的底部为有限势垒层的上表面，所述SBD阳极凹槽内设有SBD阳极，所述SBD阳极与钝化层的水平接触面之间设有SBD阳极场板，所述SBD阳极的部分上表面设有互联线和微带线，所述SBD阳极的剩余部分上表面和钝化层上表面设有钝化介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于原位生长SiN技术的GaN单片集成限幅低噪声放大器及其制造方法
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