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申请/专利权人：清华大学
摘要：本发明公开了一种超长水平阵列碳纳米管及其制备方法，所述方法包括：将催化剂负载在碳纳米管薄膜上，然后将负载催化剂的碳纳米管薄膜包覆在生长基底一侧；将所述生长基底置于反应器中，通入保护气并升温至反应温度；向所述反应器中通入含有碳源的气体，以便在所述生长基底上制备得到所述超长水平阵列碳纳米管。由此，能够实现超长碳纳米管在大尺寸晶圆级硅片表面的高密度顺排生长。
主权项：1.一种制备超长水平阵列碳纳米管的方法，其特征在于，包括：1将催化剂负载在碳纳米管薄膜上，然后将负载催化剂的碳纳米管薄膜包覆在生长基底一侧；2将所述生长基底置于反应器中，通入保护气并升温至反应温度；3向所述反应器中通入含有碳源的气体，以便在所述生长基底上制备得到所述超长水平阵列碳纳米管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 超长水平阵列碳纳米管及其制备方法
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