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申请/专利权人:西安电子科技大学
摘要:本发明公开了一种半导体光激发载流子群速度空间分布的计算方法及装置,包括:获取半导体材料的能带结构;根据预设光强度的电子带间直接跃迁几率,得到半导体光激发载流子具有波矢量的电子态本征能量;根据半导体材料的能带结构,确定能带极值位置;根据半导体光激发载流子具有波矢量的电子态本征能量,获取半导体光激发载流子在能带极值位置处主轴方向上的有效质量和能带边缘附近载流子能量和波矢量之间的关系,并进一步得到半导体光激发载流子群速度空间分布。本发明能够在原子和电子尺度完成半导体载流子群速度在3D空间各向异性的表征,可为研究特定半导体材料各向异性光电性质提供直接证据。
主权项:1.一种半导体光激发载流子群速度空间分布的计算方法,其特征在于,包括:获取半导体材料的能带结构;根据预设光强度的电子带间直接跃迁几率,得到半导体光激发载流子具有波矢量的电子态本征能量;根据所述半导体材料的能带结构,确定能带极值位置;根据所述半导体光激发载流子具有波矢量的电子态本征能量,获取半导体光激发载流子在所述能带极值位置处主轴方向上的有效质量和能带边缘附近载流子能量和波矢量之间的关系;根据所述半导体光激发载流子在所述能带极值位置处主轴方向上的有效质量和能带边缘附近载流子能量和波矢量之间的关系,得到半导体光激发载流子群速度空间分布。
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百度查询: 西安电子科技大学 一种半导体光激发载流子群速度空间分布的计算方法及装置
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