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一种具有纳米沟壑的自支撑掺硼金刚石电极及其制备方法 

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申请/专利权人:山东省科学院海洋仪器仪表研究所

摘要:本发明属于电化学传感器技术领域,涉及一种具有纳米沟壑的自支撑掺硼金刚石电极及其制备方法。一种具有纳米沟壑的自支撑掺硼金刚石电极,包括掺硼金刚石膜;所述掺硼金刚石膜的一侧表面均布纳米沟壑;所述纳米沟壑的宽度为10~20nm,深度为1~2μm。本发明的具有纳米沟壑的自支撑掺硼金刚石电极比表面积大,背景电流低,在盐度测量中表现出较高的信噪比,而且稳定性好,防生物附着能力强。

主权项:1.一种具有纳米沟壑的自支撑掺硼金刚石电极,包括掺硼金刚石膜;其特征在于:所述掺硼金刚石膜的一侧表面均布纳米沟壑;所述纳米沟壑的宽度为10~20nm,深度为1~2μm。

全文数据:

权利要求:

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