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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：半导体芯片；冷却通道，被配置成允许冷却剂以液相流动并且吸收在操作期间由半导体芯片生成的热；以及芯吸结构，被配置成产生用于使液相冷却剂沿着冷却通道的壁表面移动的毛细管力。芯吸结构包括悬式芯吸结构，该悬式芯吸结构设置为与壁表面分开毛细管距离。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体芯片；冷却通道，被配置成允许冷却剂以液相流动并且吸收在操作期间由所述半导体芯片产生的热；以及芯吸结构，被配置成产生用于使所述液相的冷却剂沿着所述冷却通道的壁表面移动的毛细管力，其中所述芯吸结构包括悬式芯吸结构，所述悬式芯吸结构设置为与所述壁表面间隔开毛细管距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 具有两相冷却结构的半导体器件
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