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申请/专利权人：浙江晶越半导体有限公司
摘要：本发明提供一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置，所述方法包括以下步骤：（1）将装有碳化硅原料以及籽晶的坩埚放置于长晶炉内，抽真空；（2）将长晶炉内的压力增加到400~500mbar，将籽晶处的温度加热至2300℃，将碳化硅原料处的温度加热至2350~2400℃；（3）将长晶炉内的压力降低到30~60mbar，稳定生长；（4）将长晶炉内的压力继续降低至10~20mbar，快速生长；（5）将长晶炉内的压力继续降低至2mbar；（6）将长晶炉内的压力增加至400~500mbar，降至室温，得到碳化硅晶体。本发明通过对长晶过程中的压力调控使得晶体界面生长速率恒定，通过改变压力的迟滞效应高效调控，提高晶体质量。
主权项：1.一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将装有碳化硅原料以及籽晶的坩埚放置于长晶炉内，抽真空；（2）将长晶炉内的压力增加到400~500mbar，将籽晶处的温度加热至2300℃，将碳化硅原料处的温度加热至2350~2400℃；（3）将长晶炉内的压力降低到30~60mbar，稳定生长；（4）将长晶炉内的压力继续降低至10~20mbar，快速生长；（5）将长晶炉内的压力继续降低至2mbar；（6）将长晶炉内的压力增加至400~500mbar，降至室温，得到碳化硅晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江晶越半导体有限公司 一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置
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