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指向性发光的Micro-LED倒装芯片及其制备方法 

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申请/专利权人:南方科技大学

摘要:本发明涉及一种指向性发光的Micro‑LED倒装芯片及其制备方法,Micro‑LED倒装芯片包括硅基板和发光单元,发光单元包括依次堆叠的第一钝化层、DBR反射层、n‑GaN层、蓝光多量子阱层、p‑GaN层、ITO电流扩展层和第二钝化层,本发明先通过刻蚀、清洗后形成自所述ITO电流扩展层延伸至所述n‑GaN层的发光台面阵列,第二钝化层包覆于发光台面阵列;然后经过多次光刻在第二钝化层的不同位置形成反射电极结构,包括P‑Pad反射电极层、N‑Pad反射电极层和侧壁反射电极层。本发明通过控制发光台面的预设尺寸、增加反射电极结构和顶部DBR反射层,有效提高Micro‑LED倒装芯片光效、实现垂直于发光台面方向的指向性出光。

主权项:1.一种指向性发光的Micro-LED倒装芯片,其特征在于,包括:硅基板,具有间隔设置有第一电极和第二电极;发光单元,包括依次堆叠设置的第一钝化层、DBR反射层、n-GaN层、蓝光多量子阱层、p-GaN层、ITO电流扩展层和第二钝化层;其中,所述发光单元包括发光台面阵列,所述发光台面阵列由多个间隔排布于所述发光单元背离所述第一钝化层的一侧的发光台面组成,所述发光台面自所述ITO电流扩展层延伸至所述n-GaN层内的层状结构为发光台面,多个所述发光台面间隔设置而形成发光台面阵列,所述第二钝化层包覆于所述发光台面阵列裸露在空气中的壁面;所述发光单元还包括设于发光台面阵列上的反射电极结构,所述反射电极结构包括P-Pad反射电极层、N-Pad反射电极层和侧壁反射电极层;所述P-Pad反射电极层电性连接于所述P-GaN层和所述第一电极且位于所述发光台面的端面;所述N-Pad反射电极层电性连接于所述N-GaN层和所述第二电极且位于所述发光台面阵列间隙区域的底面;所述侧壁反射电极层沿所述发光台面的侧周并覆盖于所述第二钝化层;所述发光具有预设尺寸,所述预设尺寸通过所述发光台面的侧壁顷角控制所得,具有所述预设尺寸的所述发光台面配合所述DBR反射层与所述反射电极结构形成谐振腔,所述谐振腔对光的共同作用使得所述Micro-LED倒装芯片实现垂直于所述发光台面的指向性出光。

全文数据:

权利要求:

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