龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明公开了一种基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFS型堆叠FeFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。源极区和漏极区嵌在衬底中，两者之间设有隔离区；源极电极设置在源极区的上表面；漏极电极设置在漏极区的上表面；隔离区上设有铁电层、栅极电极，衬底上方生长有钝化保护层，源极电极、铁电层、栅极电极、漏极电极均在钝化保护层内部；钝化保护层内还在三个电极对应的位置分别开设有三个通孔，三个通孔内均填充导电材料，使得三个电极分别与钝化保护层外部表面上的三个接触点连通。本发明增大顶栅MFS型堆叠FeFET器件的存储窗口，提高顶栅MFS型堆叠FeFET器件的读取裕度，有效防止顶栅MFS型堆叠FeFET器件中的随机位翻转以及由噪声和干扰引起的读取错误。
主权项：1.基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFS型堆叠FeFET器件，其特征在于，包括：衬底101，所述衬底101的材料为硅；源极区104和漏极区105嵌在衬底101中，并且两者之间设有隔离区；源极电极106设置在源极区104的上表面；漏极电极107设置在漏极区105的上表面；所述隔离区上设有铁电层102，铁电层102上设有栅极电极103；所述衬底101上方生长有钝化保护层108，所述的源极电极106、铁电层102、栅极电极103、漏极电极107均在钝化保护层108内部；钝化保护层108内还在源极电极106、栅极电极103、漏极电极107三个电极对应的位置分别开设有三个通孔，分别为第一通孔1081、第二通孔1082、第三通孔1083，三个通孔内均填充导电材料，使得源极电极106、栅极电极103、漏极电极107分别与钝化保护层108外部表面上的源极接触点201、栅极接触点202和漏极接触点203连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFS型堆叠FeFET器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号