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申请/专利权人:爱思开海力士有限公司
摘要:本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括:硅化物栅电极,其设置在基板上方;第一外延图案,其从基板突出;第二外延图案,其从基板突出;硅化物源极触点,其通过第一外延图案连接到基板并且设置在与硅化物栅电极的顶部高度不同的第一高度处;以及硅化物漏极触点,其通过第二外延图案连接到基板并且设置在与硅化物栅电极的顶部高度不同的第二高度处。
主权项:1.一种半导体装置,该半导体装置包括:硅化物栅电极,该硅化物栅电极设置在基板上方;第一外延图案,该第一外延图案从所述基板突出;第二外延图案,该第二外延图案从所述基板突出;硅化物源极触点,该硅化物源极触点通过所述第一外延图案连接到所述基板,并且设置在与所述硅化物栅电极的顶部高度不同的第一高度处;以及硅化物漏极触点,该硅化物漏极触点通过所述第二外延图案连接到所述基板,并且设置在与所述硅化物栅电极的所述顶部高度不同的第二高度处。
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权利要求:
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