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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：基底，具有主表面和在竖直方向上从主表面突出并在第一水平方向上纵向延伸的鳍型有源区域；栅极线，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸，并且与鳍型有源区域交叉；源极漏极区域，在鳍型有源区域上位于栅极线之间；栅极间绝缘层，在栅极线之间且覆盖源极漏极区域；有源接触件，在源极漏极区域上并与源极漏极区域接触；以及掩埋绝缘块，位于在第二水平方向上的相邻源极漏极区域之间，掩埋绝缘块穿透栅极间绝缘层的至少一部分并具有与有源接触件中的第一有源接触件接触的顶表面。
主权项：1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底，具有主表面和在竖直方向上从主表面突出的鳍型有源区域，鳍型有源区域在第一水平方向上纵向延伸；栅极线，在基底上在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此平行地延伸并且与鳍型有源区域交叉；源极漏极区域，在栅极线之间布置鳍型有源区域上；栅极间绝缘层，在栅极线之间覆盖源极漏极区域；有源接触件，布置在源极漏极区域上，并且与源极漏极区域接触；以及掩埋绝缘块，位于源极漏极区域中的第一源极漏极区域与源极漏极区域中的第二源极漏极区域之间，第二源极漏极区域在第二水平方向上与第一源极漏极区域相邻，掩埋绝缘块穿透栅极间绝缘层的至少一部分并且具有与有源接触件中的第一有源接触件接触的顶表面。
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