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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：一种用于驱动GaN功率开关的缓存器电路包括接收输入信号的输入节点和产生用于GaN功率开关的门控信号的输出节点。该缓存器包括推挽级，推挽级包括耦合在电源电压节点与输出节点之间的第一晶体管、耦合在电源电压节点与输出节点之间的第二晶体管、耦合在输出节点与参考电压节点之间的第三晶体管，以及耦合在输出节点与参考电压节点之间的第四晶体管。缓存器包括预缓存器级，该预缓存器级被配置为接收输入信号并产生用于第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的相应驱动信号，以在四个相继阶段中在输出节点处产生门控信号。
主权项：1.一种用于驱动GaN功率开关的缓存器电路，该缓存器电路包括：输入节点，被配置为接收输入信号；输出节点，被配置为产生用于GaN功率开关的门控信号；推挽级，包括：第一晶体管，其导通沟道耦合在电源电压节点与输出节点之间；第二晶体管，其导通沟道耦合在电源电压节点与输出节点之间；第三晶体管，其导通沟道耦合在输出节点与参考电压节点之间；以及；以及第四晶体管，其导通沟道耦合在输出节点与参考电压节点之间；以及；预缓存器级，被配置为接收输入信号并产生用于第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的相应驱动信号，以在四个相继阶段中在输出节点处产生门控信号，其中：在第一阶段中，第一晶体管导通，而第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管不导通；在第二阶段中，第一晶体管和第二晶体管导通，而第三晶体管和第四晶体管不导通；第三阶段中，第三晶体管导通，而第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管不导通；以及在第四阶段中，第三晶体管和第四晶体管导通，而第一晶体管和第二晶体管不导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 用于驱动GaN功率开关的缓存器电路及对应的驱动器电路
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