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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明公开一种高通量、高分辨率芯片缺陷检测系统和方法，所述检测系统由可寻址平板X射线源和平板探测器组成。所述可寻址平板X射线源器件由可寻址纳米冷阴极电子源和阳极靶组成。成像时，可寻址平板X射线源靠近成像物体，实现高放大倍率从而提高成像高分辨。可寻址平板X射线源器件不同区域位置的单个X射线源并行地对相对应区域成像物体上相对应区域进行照射，实现数字化投影成像。此外，可通过每个区域内的可寻址电子源按照预设程序驱动工作，使该区域单元中的多个X射线源按次序发光扫描，探测器获得图像并结合图像重构算法，实现计算机断层扫描成像。上述方法通过X射线源同时发光并行工作，有效地解决了单焦点检测速度慢的问题，可成倍提升检测速度，实现高通量。本发明的高通量、高分辨率X射线缺陷检测系统和方法在芯片、三维集成电路、电路板、锂电池等电子产品的无损检测具有重要应用。
主权项：1.一种高通量、高分辨率芯片缺陷检测系统，其特征在于，包括：可寻址平板X射线源器件，所述可寻址平板X射线源器件包括可寻址纳米冷阴极电子源和金属阳极靶，其中，所述可寻址纳米冷阴极电子源和所述金属阳极靶相对平行设置，所述金属阳极靶施加高电压，所述可寻址纳米冷阴极电子源产生电子束轰击所述金属阳极靶，从而产生X射线；平板探测器，所述平板探测器接收来自所述可寻址平板X射线源器件穿过待测工件的X射线，并转换为图像电信号；成像单元，成像单元根据所述图像电信号进行处理生成X射线成像。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种高通量、高分辨率芯片缺陷检测系统和方法
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