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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：一种零位错锗单晶制备方法包括步骤：S1，将腐蚀好的锗多晶装入提拉炉的坩埚中；S2，将提拉炉抽真空，保压在真空下一定时间；S3，步骤S2之后，通入氮气，维持排气，以保持流动式压力低于大气压；S4，切换至通氢气，维持通氢气并保持流动式压力，升温熔料，熔料后提拉，提拉包括启动、引晶、缩颈、细颈、放肩、等径、收尾、降温，启动后在引晶前，籽晶与坩埚的熔体的液面间隔开直到引晶启动，在缩颈和细颈时均达到零位错，在放肩时如果出现位错则放肩的底端回熔之后再接续进行放肩，在等径时如果出现位错则等径生长的晶体的底端回熔之后再接续进行等径生长；S5，提拉的降温完成后，切换至氮气，维持排气，以保持流动式压力在常压附近，出炉。
主权项：1.一种零位错锗单晶制备方法，其特征在于，包括步骤：S1，将腐蚀好的锗多晶装入提拉炉的坩埚中；S2，将提拉炉抽真空，保压在真空下一定时间；S3，步骤S2完成之后，向提拉炉内通入氮气，开启排气口维持排气，以保持流动式压力低于大气压；S4，将通入的氮气切换至通入氢气，维持通入氢气并保持流动式压力，升温进行熔料，熔料完成后进行提拉，提拉包括启动、引晶、缩颈、细颈、放肩、等径、收尾、降温，启动后在引晶前，籽晶位于坩埚的熔体的液面的上方并与坩埚的熔体的液面间隔开且保持到直到引晶启动，在缩颈和细颈时均达到零位错，在放肩时如果出现位错则放肩的底端进行回熔之后再接续进行放肩直到晶体直径达到规定直径，在等径时如果出现位错则等径生长的晶体的底端进行回熔之后再接续进行等径生长直到晶体等径生长的长度达到规定长度；S5，直到提拉的降温完成后，切换至氮气，维持排气口排气，以保持流动式压力在常压附近，最后出炉。
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