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申请/专利权人：中科(深圳)无线半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种耗尽型GaN的开关电源结构，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中不能很好控制耗尽型GaN开关速度和需要串接NMOS管耐压过高的问题。本发明提出一种通过调节NMOS管驱动电流的方式来驱动耗尽型GaN源极电压，从而实现功率管的开关速度可控的耗尽型GaN驱动方法。利用耗尽型GaN和NMOS管串接的中间节点可以实现信号检测，简化系统谷底检测电路。同时利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片上电取电功能，从而简化系统的上电电路，降低系统待机功耗。进一步的可以利用耗尽型GaN常开的特点实现芯片供电功能，从而省掉辅助绕组Laux和二极管D8，简化系统电路，降低成本。
主权项：1.一种耗尽型GaN的开关电源结构，包括整流桥、吸收电路、变压器T1、以及同步整流芯片及其外围电路，其中，整流桥与吸收电路及变压器T1连接，变压器T1还与同步整流芯片及其外围电路连接，其特征在于，还包括主控制芯片，所述主控制芯片包括取电检测稳压模块、控制模块和NMOS开关管N3，其中，所述取电检测稳压模块和控制模块均与NMOS开关管N3且控制模块内设有NMOS开关管N3的驱动电路，所述NMOS开关管N3通过耗尽型GaN开关管ND2与变压器T1和吸收电路连接，所述主控制芯片的引脚FB通过环路补偿电容C2接地，且所述主控制芯片的引脚FB还与同步整流芯片的外围电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中科(深圳)无线半导体有限公司 一种耗尽型GaN的开关电源结构
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