龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：公开了一种制造包括分离图案的半导体器件的方法。在半导体衬底之上形成包括第一导电柱和第二导电柱的中间结构层。形成分离层。选择性地去除分离层的一些部分以形成分离图案，并且形成第三导电图案和第四导电图案，第三导电图案填充分离图案的孔，第四导电图案填充分离图案的沟槽。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成包括第一导电柱和第二导电柱的中间结构层；形成覆盖所述中间结构层的分离层；通过选择性地去除所述分离层的部分而形成分离图案，所述分离图案形成为提供孔和沟槽，所述孔暴露所述第一导电柱的部分，所述沟槽暴露所述第二导电柱的部分；以及形成第三导电图案和第四导电图案，所述第三导电图案填充所述分离图案的所述孔，所述第四导电图案填充所述分离图案的所述沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 制造包括分离图案的半导体器件的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号