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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本文提供了用于形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括在给定源极或漏极区域之上的触点，所述触点在相邻源极或漏极区域的顶部之上延伸而不接触它。在示例中，半导体器件包括在从源极或漏极区域延伸的半导体材料的鳍状物周围，或者在从源极或漏极区域延伸的半导体材料的一个或多个纳米线或纳米带或纳米片周围的栅极结构。在源极或漏极区域之上形成导电触点，所述导电触点跨相邻源极或漏极区域上方的源极漏极沟槽横向延伸，而不接触相邻源极或漏极区域。触点可以沿着源极漏极沟槽延伸穿过电介质壁例如，栅极切口，所述电介质壁正交地延伸穿过源极漏极沟槽。
主权项：1.一种集成电路，包括：半导体器件，所述半导体器件具有在第一方向上从源极或漏极区域延伸的半导体区域，以及在第二方向上在所述半导体区域之上延伸的栅极结构；电介质壁，所述电介质壁在所述第一方向上穿过所述栅极结构的整个厚度延伸并且在所述第一方向上与所述源极或漏极区域相邻地延伸；以及导电触点，所述导电触点在所述源极或漏极区域的至少顶表面上，其中，所述导电触点具有第一区段和第二区段，所述第一区段在所述源极或漏极区域正上方，所述第二区段沿着所述第二方向远离所述源极或漏极区域并穿过所述电介质壁的一部分延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 在相邻源极或漏极区域之上延伸的触点
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