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申请/专利权人：拉碧斯半导体株式会社
摘要：本发明提供具有可降低翘曲的CSP结构的半导体装置、制作半导体装置的方法。半导体装置包括：薄膜金属电极，设在支撑体基底的第一主表面上；薄膜树脂层，覆盖薄膜金属电极的边缘；厚膜金属体，位于薄膜金属电极上并且包括铜；厚膜树脂体，覆盖厚膜金属体的侧面；以及结构体，包含设在第一主表面上的第一膜及设在第二主表面上的第二膜中的至少一者，厚膜金属体、薄膜金属电极及支撑体基底是沿第一轴的方向配置，厚膜金属体的上表面及厚膜树脂体的上表面沿着与第一轴交叉的基准面延伸，第一膜的热膨胀系数介于厚膜树脂体的热膨胀系数与支撑体基底的半导体的热膨胀系数之间。
主权项：1.一种半导体装置，包括：支撑体基底，具有第一主表面及所述第一主表面的相反侧的第二主表面，并且包括半导体；至少一个薄膜金属电极，设在所述支撑体基底的所述第一主表面上；薄膜树脂层，在所述薄膜金属电极上具有第一开口，并且覆盖所述薄膜金属电极的边缘；至少一个厚膜金属体，位于所述薄膜金属电极及所述薄膜树脂层上，并且包含包括铜的金属膜；厚膜树脂体，覆盖所述厚膜金属体的侧面，并且设在所述支撑体基底的所述第一主表面上；以及结构体，包含设在所述支撑体基底的所述第一主表面的至少一部分上的第一膜及设在所述支撑体基底的所述第二主表面的至少一部分上的第二膜中的至少一者，且所述第一膜设在所述薄膜树脂层与所述厚膜树脂体之间，所述支撑体基底设在所述第二膜与所述厚膜树脂体之间，所述厚膜金属体、所述薄膜金属电极及所述支撑体基底沿第一轴的方向配置，所述厚膜金属体的上表面及所述厚膜树脂体的上表面沿着与所述第一轴交叉的基准面延伸，所述厚膜金属体的厚度大于所述薄膜金属电极的厚度，所述厚膜树脂体的厚度大于所述薄膜树脂层的厚度，所述第一膜的热膨胀系数介于所述厚膜树脂体的热膨胀系数与所述半导体的热膨胀系数之间，所述第二膜的热膨胀系数小于所述厚膜树脂体的热膨胀系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉碧斯半导体株式会社 半导体装置、制作半导体装置的方法
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