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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路装置包括：第一纳米片堆叠件，包括布置在沿第一水平方向延伸的鳍型有源区域上的多个纳米片；栅极线，在鳍型有源区域上沿第二水平方向延伸；垂直结构，接触所述多个纳米片中的每个；以及第一栅极介电层，设置在栅极线与所述多个纳米片之间以及栅极线与垂直结构之间，其中，第一栅极线包括设置在所述多个纳米片中的每个下方的第一子栅极部分，第一栅极介电层包括：设置在栅极线与所述多个纳米片之间的第一部分、以及设置在第一子栅极部分与垂直结构之间的第二部分，并且第二部分在第二水平方向上的厚度大于第一部分在垂直方向上的厚度。
主权项：1.一种集成电路装置，包括：第一鳍型有源区域，在基底上沿第一水平方向延伸；第一纳米片堆叠件，包括布置在第一鳍型有源区域上的第一多个纳米片；第一栅极线，在第一鳍型有源区域上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸；垂直结构，接触包括在第一纳米片堆叠件中的第一多个纳米片中的每个；以及第一栅极介电层，设置在第一栅极线与第一多个纳米片之间以及第一栅极线与垂直结构之间，其中，第一栅极线包括设置在所述第一多个纳米片中的每个下方的第一子栅极部分，第一栅极介电层包括：设置在第一栅极线与第一多个纳米片之间的第一部分、以及设置在第一子栅极部分与垂直结构之间的第二部分，并且第一栅极介电层的第二部分在第二水平方向上的厚度大于第一栅极介电层的第一部分在垂直方向上的厚度。
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