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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：蚀刻方法包括：a提供基板的工序，基板具有第1区域和第2区域，所述第1区域具有开口，所述第2区域位于第1区域的下方，第2区域包括与开口连通的凹部，从与基板的主面垂直的方向观察，第2区域包括位于开口内的肩部，肩部包括凹部的侧壁的上端，第2区域包含硅，并且包含与第1区域中所包含的材料不同的材料；b通过由包含含有碳及氧的气体的第1处理气体生成的第1等离子体在肩部上形成沉积物的工序；及c通过由与第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体对凹部的底部进行蚀刻的工序。
主权项：1.一种蚀刻方法，其包括：a提供基板的工序，所述基板具有第1区域和第2区域，所述第1区域具有开口，所述第2区域位于所述第1区域的下方，所述第2区域包括与所述开口连通的凹部，从与所述基板的主面垂直的方向观察，所述第2区域包括位于所述开口内的肩部，所述肩部包括所述凹部的侧壁的上端，所述第2区域包含硅，并且包含与所述第1区域中所包含的材料不同的材料；b通过由包含含有碳及氧的气体的第1处理气体生成的第1等离子体在所述肩部上形成沉积物的工序；及c通过由与所述第1处理气体不同的第2处理气体生成的第2等离子体对所述凹部的底部进行蚀刻的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法及等离子体处理装置
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