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申请/专利权人：三星电子株式会社

摘要：蚀刻组合物可包括氧化剂、铵盐、水性溶剂和促进剂，所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，所述促进剂包括第一促进剂和第二促进剂，所述第一促进剂和所述第二促进剂彼此不同，并且所述第一促进剂和所述第二促进剂各自包括由下式A表示的基团、由下式B表示的基团和由下式C表示的基团的至少一个，其中Y1、T1、T1a和A1如本说明书中所定义的。可使用该蚀刻组合物进行蚀刻含金属的膜的方法，并且可使用该蚀刻组合物进行制造半导体器件的方法。

主权项：1.蚀刻组合物，包括：氧化剂；铵盐；水性溶剂；和促进剂，其中所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，所述促进剂包括第一促进剂和第二促进剂，所述第一促进剂和所述第二促进剂彼此不同，并且所述第一促进剂和所述第二促进剂各自包括由下式A表示的基团、由下式B表示的基团和由下式C表示的基团的至少一个： 其中，在式A至式C中，Y1为CZ3Z4、NZ3、C＝O、C＝S、S＝O2、或P＝OZ3，T1为*-OH、*-SH、或*-NH2，T1a为O或S，Z3和Z4各自独立地为氢、氘、*-F、*-Cl、*-Br、*-I、*-OH、*-SH、*-NH2、*-C＝OH、*-C＝SH、*-C＝O-OH、*-C＝S-OH、*-C＝O-SH、*-C＝S-SH、*-C＝O-NH2、*-C＝S-NH2、*-NH-C＝O-NH2、*-NH-C＝S-NH2、*-COH-C＝O-OH、*-CSH-C＝O-OH、*-COH-C＝S-OH、*-COH-C＝O-SH、*-CSH-C＝S-OH、*-CSH-C＝O-SH、*-COH-C＝S-SH、*-CSH-C＝S-SH、*-C＝O-C＝O-OH、*-C＝S-C＝O-OH、*-C＝O-C＝S-OH、*-C＝O-C＝O-SH、*-C＝S-C＝S-OH、*-C＝S-C＝O-SH、*-C＝O-C＝S-SH、*-C＝S-C＝S-SH、或*-C＝O-ONH4，或各自未被取代或被如下取代的C1-C20烷基、C2-C20烯基、C1-C20烷氧基、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、C7-C20芳基烷基、或C3-C20杂芳基烷基：氘、*-F、*-Cl、*-Br、*-I、*-OH、*-SH、*-NH2、*-C＝OH、*-C＝SH、*-C＝O-OH、*-C＝S-OH、*-C＝O-SH、*-C＝S-SH、*-C＝O-NH2、*-C＝S-NH2、*-NH-C＝O-NH2、*-NH-C＝S-NH2、*-COH-C＝O-OH、*-CSH-C＝O-OH、*-COH-C＝S-OH、*-COH-C＝O-SH、*-CSH-C＝S-OH、*-CSH-C＝O-SH、*-COH-C＝S-SH、*-CSH-C＝S-SH、*-C＝O-C＝O-OH、*-C＝S-C＝O-OH、*-C＝O-C＝S-OH、*-C＝O-C＝O-SH、*-C＝S-C＝S-OH、*-C＝S-C＝O-SH、*-C＝O-C＝S-SH、*-C＝S-C＝S-SH、*-C＝O-ONH4、或其任意组合，A1为氢或氘，或各自未被取代或被如下取代的C1-C20烷基、C2-C20烯基、C1-C20烷氧基、C6-C20芳基、C2-C20杂芳基、C7-C20芳基烷基、或C3-C20杂芳基烷基：氘、*-F、*-Cl、*-Br、*-I、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、或其任意组合，和*为与所述第一促进剂的任意原子和所述第二促进剂的任意原子的结合位点。

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百度查询： 三星电子株式会社 蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法