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申请/专利权人：浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明公开了一种漏极拓展阶梯场板SOI‑FinFET器件。本发明包括硅衬底、埋氧层、源区、沟道区和漏区；所述埋氧层生长于硅衬底上方，源区、沟道区和漏区均位于埋氧层上方，源区和漏区位于沟道区两侧，所述沟道区和漏区之间生长有漏极拓展区，还包括包裹所述漏极拓展区的场板结构；所述漏极拓展区与场板结构用于调控器件内部电场分布，提高器件击穿电压。本发明通过在传统SOI‑FinFET器件中引入漏极拓展区和阶梯场板结构，提出了一种漏极拓展阶梯场板SOI‑FinFET器件。该器件的漏极拓展区和场板结构有效调控了器件内部电场分布，提高了器件击穿电压，实现了器件工作电压高于5V。
主权项：1.一种漏极拓展阶梯场板SOI-FinFET器件结构，包括硅衬底、埋氧层、源区、沟道区和漏区；所述埋氧层生长于硅衬底上方，源区、沟道区和漏区均位于埋氧层上方，源区和漏区位于沟道区两侧，其特征在于：所述沟道区和漏区之间生长有漏极拓展区，还包括包裹所述漏极拓展区的场板结构；所述漏极拓展区与场板结构用于调控器件内部电场分布，提高器件击穿电压。
全文数据：
权利要求：
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