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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
摘要：一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、耗尽型器件和增强型器件。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，并且具有大于第一氮化物基半导体层的带隙的带隙。耗尽型器件包括设置在第二氮化物基半导体层上方的第一III‑V族半导体层。增强型器件包括设置在第二氮化物基半导体层上方的第二III‑V族半导体层。第一III‑V族半导体层和第二III‑V族半导体层具有相同的厚度，并且第二III‑V族半导体层被掺杂以具有与第一III‑V族半导体层不同的导电类型。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上并具有大于所述第一氮化物基半导体层的带隙的带隙；耗尽型器件，其包括：设置在所述第二氮化物基半导体层上方的第一源电极和第一漏电极；设置在所述第二氮化物基半导体层上方的第一栅电极；以及设置在所述第二氮化物基半导体层和所述第一栅电极之间的第一III-V族半导体层；以及增强型器件，其包括：设置在所述第二氮化物基半导体层上方的第二源电极和第二漏电极；设置在所述第二氮化物基半导体层上方的第二栅电极；以及设置在所述第二氮化物基半导体层和所述第二栅电极之间的第二III-V族半导体层，其中所述第二III-V族半导体层被掺杂成具有与所述第一III-V族半导体层不同的导电类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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