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申请/专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
摘要：本发明公开一种测温组件及坩埚下降法晶体生长炉内部温度的测量方法，所述测温组件包括：基片，所述基片上设置有第一凹槽，所述第一凹槽的底部上设置有第二凹槽；金属片，放置在所述第一凹槽中。本发明提供的测温组件可以在不改变晶体生长炉内保温结构的情况下被放置在晶体生长炉内部各个位置，并通过观察氧化镓晶体生长完毕晶体生长炉冷却后金属片的熔化情况，定性判断出各位置处的温度，从而实现对坩埚下降法晶体生长炉内部温度分布的把控，得出各位置的温度梯度，并分析生长得到的氧化镓晶体质量，判断该温度梯度是否适合氧化镓晶体生长，最终达到提高生长高质量氧化镓晶体效率的目的。
主权项：1.一种测温组件，其特征在于，所述测温组件包括：基片，所述基片上设置有第一凹槽，所述第一凹槽的底部上设置有第二凹槽；金属片，放置在所述第一凹槽中；所述基片的熔点大于所述金属片的熔点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州富加镓业科技有限公司 测温组件及坩埚下降法晶体生长炉内部温度的测量方法
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