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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法，属于单晶硅生产技术领域，包括：单晶炉，单晶炉内部设置有坩埚；热屏，热屏设置在坩埚的上方，热屏包括上段热屏和下段热屏，上段热屏包括倾斜段和竖直段，下段热屏包括下段外侧和下段内侧，下段外侧与竖直段连接，且下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，石墨中轴设置在坩埚的下方，石墨中轴中心设置有合金中轴，合金中轴下方安装有升降装置，且合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构，在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下，将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
主权项：1.一种降低硅单晶氧含量的装置，其特征在于，包括：单晶炉，所述单晶炉内部设置有坩埚；热屏，所述热屏设置在所述坩埚的上方，所述热屏包括上段热屏和下段热屏，所述上段热屏包括倾斜段和竖直段，所述下段热屏包括下段外侧和下段内侧，所述下段外侧与所述竖直段连接，且所述下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，所述石墨中轴设置在所述坩埚的下方，所述石墨中轴中心设置有合金中轴，所述合金中轴下方安装有升降装置，且所述合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 降低硅单晶氧含量的装置及方法
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