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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种大幅面高深微纳结构制造方法，包括：涂布光刻胶；前烘干燥；对光刻胶膜进行再水合化；胶厚检测，并进行光刻；表面缺陷检测；后烘干燥；显影处理；坚膜处理；尺寸形貌检测。本发明通过温度梯度形成的稳定扩散速率和真空负压的快速逸出环境，两者共同作用，使得厚层光刻胶的烘烤干燥工艺更加完善，保证整个光刻胶膜再吸水充足，降低了表面光刻胶膜随着显影时间的增长的暗腐蚀效应，从而有助于保证后续微纳结构的形貌。
主权项：1.一种大幅面高深微纳结构制造方法，其特征在于，包括：在基板上涂布一层光刻胶形成光刻胶膜；在真空负压环境下，按照预设的梯度干燥温度序列和梯度干燥时间序列对光刻胶膜进行前烘干燥得到光刻胶板；待光刻胶板冷却，根据光刻胶膜的厚度获取再水合化时间，对光刻胶膜进行再水合化；对光刻胶板进行胶厚检测，在符合要求厚度的光刻胶板上进行光刻；对光刻胶板进行表面缺陷检测；将表面缺陷检测合格的光刻胶板，在真空条件、预设的温度和预设的时间下进行后烘干燥；按照预设的显影液浓度对后烘干燥的光刻胶板进行显影处理；直至显影结束，冲洗光刻胶板并风干光刻胶板表面水分；对风干后的光刻胶板进行坚膜处理；对坚膜处理后的光刻胶板进行尺寸检测，得到尺寸合格的高深微纳结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 大幅面高深微纳结构制造方法
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