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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
摘要：一种基于插指型的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括倒T状的沟道层，沟道层垂直区域顶端设置有源极，源极与沟道层接触处为插指结构，沟道层的水平区域两端均设置有漏极，沟道层的垂直区域两侧及水平区域顶面均布设有栅极介质层，栅极介质层上布设有第一栅极，第一栅极的顶端设置有第二栅极，第二栅极与沟道层及源极形成生物分子探测腔；制备方法：刻蚀沟道层形成倒T状，在其水平区域两端进行离子注入，经过多次淀积刻蚀，得到顶端为手指状的垂直区域，并嵌入锑化镓，将氧化铪沉积，第一、二栅极的金属材料沉积到氧化铪上，进行抛光，对氧化铪进行干法刻蚀，得到最终的结构；具有功耗小、识别时间短及灵敏度高的特点。
主权项：1.一种基于插指型的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，包括由水平区域和垂直区域组成的倒T状的沟道层1，沟道层1垂直区域的一端与沟道层1水平区域的中部相接，沟道层1垂直区域的另一端设置有源极2，源极2与沟道层1接触处为相互配合的插指结构，沟道层1的水平区域两端均设置有漏极3，沟道层1的垂直区域两侧及沟道层1垂直区域两侧的沟道层1的水平区域顶面均布设有栅极介质层4，栅极介质层4不与源极2接触，栅极介质层4的垂直区域侧面及水平区域顶面布设有第一栅极5，第一栅极5垂直区域的顶端设置有第二栅极6，第二栅极6与沟道层1垂直区域的侧面及源极2的侧面形成生物分子探测腔7。
全文数据：
权利要求：
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