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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件，包括：多个沿第一方向和第二方向重复设置的有源区，在第三方向上，各有源区包括第一连接端以及位于所述第一连接端上的第二连接端；在第一方向上，各有源区的各第二连接端之间设置有第一绝缘介质层，在第二方向上，各有源区的各第二连接端之间设置有第二绝缘介质层；在第一方向上和第二方向上，各所述有源区的各第一连接端之间设置有第三绝缘介质层。本公开实施例所提供的半导体器件具有更高的可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，包括：多个沿第一方向和第二方向重复设置的有源区，在第三方向上，各所述有源区包括第一连接端以及位于所述第一连接端上的第二连接端；在所述第一方向上，各所述有源区的各所述第二连接端之间设置有第一绝缘介质层，在所述第二方向上，各所述有源区的各所述第二连接端之间设置有所述第二绝缘介质层；在所述第一方向上和所述第二方向上，各所述有源区的各所述第一连接端之间设置有第三绝缘介质层。
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权利要求：
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 半导体器件、半导体存储器以及半导体器件形成方法
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