龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种CMOS器件的制备方法，首先刻蚀高压器件区的部分多晶硅材料层，然后在不去胶情况下进行离子注入形成高压的第一轻掺杂漏区，接着再进行非高压器件区的栅极光刻，刻蚀部分多晶硅材料层，以形成非高压器件区的第二栅极，同时刻蚀高压器件区的除定义栅极区域之外的多晶硅材料层，以形成完整的高压器件区的第一栅极，最后再进行离子注入形成非高压的第二轻掺杂漏区。本申请通过将高压CMOS器件区的第一栅极部分刻蚀与非高压器件区的第二栅极刻蚀分开进行，并且分区域进行LDD注入，这样既可以在栅极厚度较薄的情况下，不打穿栅极，又可以直接、有效地增加LDD注入的能量，改善先进制程中高压CMOS器件的BV。
主权项：1.一种CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含高压器件区和非高压器件区，所述衬底中形成有若干用于隔离不同CMOS区的浅沟槽隔离结构，其中，所述高压器件区中形成有第一阱区，所述非高压器件区中形成有第二阱区；形成第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层覆盖所述高压器件区的衬底表面，所述第二栅介质层覆盖所述非高压器件区的衬底表面；形成多晶硅材料层，所述多晶硅材料层覆盖所述第一栅介质层和所述第二栅介质层；在所述多晶硅材料层表面涂覆第一光刻胶层；刻蚀所述高压器件区的部分所述多晶硅材料层和部分所述第一栅介质层并停止在所述衬底表面；以剩余的所述第一光刻胶层为掩膜，通过离子注入工艺对露出的所述高压器件区的衬底进行LDD注入，以形成第一轻掺杂漏区；刻蚀所述高压器件区中除定义栅极区域之外的多晶硅材料层，以形成第一栅极，以及，刻蚀所述非高压器件区的部分所述多晶硅材料层和部分所述第二栅介质层并停止在所述衬底表面，以形成第二栅极；形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述第一栅极两侧，所述第二侧墙位于所述第二栅极两侧；在所述高压器件区上涂覆第二光刻胶层；以及以所述第二光刻胶层为掩膜，通过离子注入工艺对露出的所述非高压器件区的衬底进行LDD注入，以形成第二轻掺杂漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CMOS器件的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号