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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明针对现有技术的不足，结合干法刻蚀、湿法腐蚀的优点，提供一种衬底的制备方法，以获得生长基底完整、图案化孔洞标准、可重复使用的衬底。所述衬底包括基底层和位于基底上的掩膜层，所述掩膜层具有竖直方向的通孔；基底层表面完整，通孔直径标准，且在100nm以内，可用于无缺陷低缺陷纳米线的外延生长。
主权项：1.一种衬底的制备方法，所述衬底包括基底层和位于基底上的掩膜层，所述掩膜层具有竖直方向的通孔；其特征在于，包括如下步骤：1在基底层上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层，且第一掩膜层的厚度在5nm以内；第二掩膜层的厚度在20nm以上；2对第二掩膜层进行干法刻蚀，刻至距离第一掩膜层5nm处；3采用第二腐蚀液对第二掩膜层进行进一步刻蚀；所述第二腐蚀液对第二掩膜层的刻蚀速度为对第一掩膜层的刻蚀速度的50倍以上；4终止第二腐蚀液的刻蚀，采用第一腐蚀液对第一掩膜层进行刻蚀，所述第一腐蚀液对第一掩膜层的刻蚀速度为对基底层的刻蚀速度的100倍以上；5终止第一腐蚀液的刻蚀，得到衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 衬底的制备方法及其在纳米线生长中的应用
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