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申请/专利权人：日立能源有限公司
摘要：一种用于将端子4附接至用于半导体功率模块10的金属衬底结构3的方法，包括提供至少一个端子4以及提供金属衬底结构3，该金属衬底结构具有金属顶层17、金属底层19和布置在金属顶层17与金属底层19之间的绝缘树脂层18。该方法进一步包括提供缓冲结构元件7并将缓冲结构元件联接至金属顶层17的顶表面171，以形成用于该至少一个端子4的突出部。该方法进一步包括藉由超声波焊接将该至少一个端子4联接至缓冲结构元件7，使得缓冲结构元件7布置在金属顶层17与该至少一个端子4之间并且实质上结合到该至少一个端子4。
主权项：1.一种用于将端子4附接至用于半导体功率模块10的金属衬底结构3的方法，包括：-提供至少一个端子4，-提供所述金属衬底结构3，所述金属衬底结构具有金属顶层17、金属底层19和布置在所述金属顶层17与所述金属底层19之间的绝缘树脂层18，-提供缓冲结构元件7并将所述缓冲结构元件联接至所述金属顶层17的顶表面171，以形成用于所述至少一个端子4的突出部，以及-利用超声波焊接头6藉由超声波焊接将所述至少一个端子4联接至所述缓冲结构元件7，所述超声波焊接头以作用于所述端子4、所述缓冲结构元件7和或所述金属衬底结构3的10-100kHz范围内的超声波频率、10-100μm范围内的振幅以及100-1000N范围内的机械压力中的至少一者执行，使得所述缓冲结构元件7布置在所述金属顶层17与所述至少一个端子4之间并且通过焊接接头而实质上结合到所述至少一个端子4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日立能源有限公司 将端子附接至用于半导体功率模块的金属衬底结构的方法以及半导体功率模块
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