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申请/专利权人：通用电气公司

摘要：系统和方法针对至少一个事件接收来自像素化阳极的信号；并且将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对；在耦合至多个选定阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述多个选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号；对比率进行比较以识别所述选定阳极是收集能量信号还是未收集能量信号；针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极重复所述衰减操作和所述比较操作；将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；并且基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。

主权项：1.一种方法，包括：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号；将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对，所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路；在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号；将所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率与阈值进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号；针对包括一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作；将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；以及基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。

全文数据：用于收集辐射检测的系统和方法背景技术本文公开的主题总体上涉及成像系统，并且更具体地涉及用于增强未收集能量信号的方法和系统，这提供了对事件的定位并且减少了对低噪声硬件电路系统的需要。常规辐射检测器在成像会话期间接收表示至少一个事件的一个或多个光子。收集能量信号表示由收集阳极响应于吸收了所述收集阳极下方的体素处的光子而产生的信号，所述信号表示由辐射检测器收集的事件。未收集能量信号表示由位于不吸收光子但与位于收集阳极下方的吸收了光子的体素相邻的体素上方的相邻阳极产生的信号。未收集能量信号用于识别光子和或事件在吸收体素或像素内的位置，所述吸收体素或像素在此也可以被称为收集阳极。类似地，未吸收体素或像素在此也可以被称为非收集阳极。整形器电路是被设计成提高收集信号与非收集信号的信噪比SNR的带通滤波器，并且用于使未收集能量信号符合标准形状。整形器电路可以具有250纳秒的峰值时间积分时间。然而，未收集能量信号相对于收集能量信号明显更小和或更弱。未收集能量信号通常是具有30纳秒至60纳秒的上升时间以及大约50ns至100ns的持续时间的窄脉冲。而且，未收集能量信号的频率相对于收集能量信号更高。基于整形器电路的峰值时间，窄50ns至100ns瞬时未收集能量信号被相对较长峰值时间的整形器电路抑制，所述峰值时间是针对所收集信号的最佳SNR选择的并且可以是250ns。另外，为了获取未收集能量信号，需要低噪声专用集成电路。例如，需要低噪声，因为未收集能量信号的信噪比非常差，这可能导致误差。另外，未收集能量信号用于确定事件在收集阳极内的位置。然而，由于由整形器电路对未收集能量信号的抑制，因此难以计算事件的位置。发明内容在实施例中，提供了一种方法例如，用于识别收集能量信号和或未收集能量信号以及事件的位置。所述方法包括：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号；将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对，所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路；以及在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号。所述方法进一步包括：对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号。所述方法包括：针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作。所述方法包括：将具有所述收集能量信号的所述选定阳极细分成多个子像素；并且基于来自所述多个外围阳极的多个未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。在实施例中，提供了一种系统例如，医学成像系统。所述系统包括辐射像素化检测器，所述辐射像素化检测器具有可操作地耦合至相应电子通道的多个像素化阳极。所述系统包括电耦合至具有通道对的所述多个像素化阳极的所述电子通道。第一通道对包括第一整形器电路并且第二通道对包括第二整形器电路。所述系统包括可操作地耦合至所述电子通道的至少一个处理器。所述至少一个处理器被配置成：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号，并且将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对。所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路。所述至少一个处理器被配置成：在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号。所述至少一个处理器进一步被配置成：对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号。所述至少一个处理器进一步被配置成：针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作。所述至少一个处理器进一步被配置成：将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素。所述至少一个处理器进一步被配置成：基于来自所述多个外围阳极的多个未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。在实施例中，提供了一种包括一个或多个程序化指令的有形且非暂态计算机可读介质，所述程序化指令被配置成指示一个或多个处理器。所述一个或多个处理器被指示进行以下操作：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号，并且将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对。所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路。所述一个或多个处理器进一步被指示：在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号。所述一个或多个处理器进一步被指示进行以下操作：对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号；并且将具有所述收集能量信号的所述选定阳极细分成多个子像素。所述一个或多个处理器进一步被指示：针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作。所述一个或多个处理器进一步被指示进行以下操作：将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；并且基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。附图说明图1是辐射像素化检测器的一部分的实施例的侧视图。图2是辐射像素化检测器的一部分的实施例的外围视图。图3是图2中示出的辐射像素化检测器的扩展部分。图4是具有可操作地耦合至控制器电路的电子通道的辐射像素化检测器的实施例的示意图。图5是图4中示出的电子通道的一部分的实施例的示意图。图6是辐射像素化检测器的一部分的实施例的外围视图。图7是用于识别收集能量信号和或未收集能量信号以及事件的位置的实施例的方法的流程图。图8是医学成像系统的实施例的示意性框图。具体实施方式当结合附图阅读时，将更好地理解以下对某些实施例的详细描述。在附图展示出各实施例的功能模块图的程度上，功能框不一定指示硬件电路之间的划分。因此，例如，功能框例如，处理器或存储器中的一个或多个可以在单个硬件例如，通用信号处理器或由随机存取存储器、硬盘等构成的块中实施。类似地，程序可以是独立程序，可以作为子例程结合在操作系统中，可以是所安装软件包中的函数等。应当理解的是，各实施例不限于附图中所示的安排和手段。如本文中所使用的，以单数引用的并且用词语“一个a”或“一种an”继续引用的元件或步骤应被理解为不排除所述元件或步骤的复数，除非明确阐明这种排除。此外，对本发明的“一个实施例”的引用不旨在被解释为排除存在也结合了所引用的特征的附加实施例。此外，除非明确相反阐明，否则“包括”或“具有”带有特定特性的一个元件或多个元件的实施例可以包括不具有所述特性的附加元件。概述总体上，本文所提供的各实施例描述了针对诸如X射线和伽马射线等电离辐射的辐射像素化检测器，并且更具体地为医学成像系统的辐射检测器，所述医学成像系统诸如核成像系统、伽马相机、单光子发射计算机断层扫描SPECT、分子乳腺成像MBI、正电子发射断层扫描PET等。所述辐射像素化检测器包括像素化阳极的阵列、矩阵等。所述像素化阳极电耦合至具有双通道对的电子通道。所述双通道对被配置成识别从阳极接收的信号是否表示未收集能量信号和或收集能量信号。所述双通道对包括具有第一整形器电路的第一通道对以及具有第二整形器电路的第二通道对。所述第一整形器电路被配置成为收集能量信号提供高信噪比。可替代地，所述第二整形器电路被配置成为未收集能量信号提供高信噪比。将信号识别为收集能量信号和或未收集能量信号是基于来自所述第一通道对和所述第二通道对的输出电压信号来进行的。所述系统和或方法基于所述输出电压信号的比率来识别信号类型。例如，将所述比率与阈值进行比较。响应于所述比率与阈值的关系，将所述信号确定为收集能量信号和或未收集能量信号。由至少一个实施例提供的技术效果包括提供更强的和或增强的未收集能量信号。由至少一个实施例提供的技术效果包括提供相对于常规像素化辐射检测器具有更大信噪比的未收集能量信号。由至少一个实施例提供的技术效果包括提供事件在收集阳极内的准确位置推导。由至少一个实施例提供的技术效果包括像素化辐射检测器，所述像素化辐射检测器包括不必具有低噪声的专用集成电路。术语术语“整形器电路shapercircuit”是指基于信号整形兴趣特性COI来对从相应阳极接收的信号进行积分和微分以形成具有期望形状的信号的电路。例如，整形COI可以是高斯形状。整形器电路可以表示包括积分电路系统和微分电路系统的带通滤波器。整形器的积分时间常数和微分时间常数被选择用于通过滤除在某个频谱频率范围内的噪声来提高信号的信噪比SNR。滤波过程信号整形衰减了噪声但也衰减了信号。对噪声的衰减远比对信号的抑制强的多，由此导致SNR提高。整形器电路的输出对信号进行积分直到所述输出达到峰值的时间被称为峰值时间。整形器电路的非限制性示例可以包括电子通道的附加零件和或电路，并且因此可以包括放大器、触发器、缓冲器、振幅甄别器、比较器等。整形兴趣特性可以包括脉冲开始与信号峰值之间的时间、上升时间、信号峰值、下降时间、以及在信号的上升区段、峰值区段和下降区段上的衰减轮廓。例如，整形器电路可以利用触发器，在所述触发器中，振幅甄别器对所接收信号进行分析。所述振幅甄别器触发一个或多个定时器以限定诸如上升时间、信号峰值和下降时间的触发等整形兴趣特性的参考点。另外，所述触发可以用于限定与在上升时间与下降时间之间的信号持续时间相对应的信号收集时间。作为一个示例，整形器电路对信号进行积分和微分，以在相对于收集时间更大的整形时间上形成高斯形状。作为进一步的示例，整形器电路沿信号传递包络线以在整形时间上对所述信号进行积分和微分，从而形成高斯形状。不同的整形电路可以被限定为包括不同的整形兴趣特性。例如，第一整形电路也被称为收集能量整形电路具有限定第一衰减轮廓的第一整形兴趣特性，所述第一衰减轮廓具有第一宽度的第一高斯形状、第一时间常数、以及在脉冲开始时间之后的选择参考时间例如，在脉冲开始时间之后的250纳秒处的第一峰值。作为另一个示例，第二整形电路也被称为未收集能量整形电路具有限定第二衰减轮廓的第二整形兴趣特性，所述第二衰减轮廓具有第二宽度的第二高斯形状、第二时间常数、以及在脉冲开始时间之后的选择参考时间例如，在脉冲开始时间之后的30纳秒至60纳秒处的第二峰值。术语“收集能量信号collectedenergysignal”用于指代由来自像素化阳极阵列的收集阳极输出的能量信号。例如，收集阳极可以表示与一个事件例如，光子撞击在阳极体素像素上并且由所述阳极体素像素吸收有关的选定阳极，而相同的阳极可以表示与另一个事件例如，光子撞击在相邻阳极体素像素上并且由所述相邻阳极体素像素吸收有关的外围阳极。术语“未收集能量信号non-collectedenergysignal”用于指代由定位成与收集阳极相邻的外围阳极输出的能量信号，其中，所述收集阳极是吸收了光子的阳极。例如，阳极可以表示与一个事件例如，光子撞击在与外围阳极相邻的收集阳极上并且由所述收集阳极吸收有关的外围阳极，而相同的阳极可以表示与另一个事件例如，光子撞击在另外的收集阳极上并且由所述另外收集阳极吸收有关的外围阳极。术语“候选能量信号candidateenergysignal”用于指代耦合至选定阳极的整形电路例如，被配置成具有信号整形兴趣特性的放大器电路的输出。能量信号被称为“候选”以指示所述能量信号还未被验证或证实为收集能量信号。例如，还未关于来自外围阳极的能量信号对候选能量信号进行比较或以其他方式进行分析。术语“认证能量信号authenticationenergysignal”用于指代选定阳极的整形电路例如，被配置成具有信号整形兴趣特性的放大器电路的输出。能量信号被称为“认证”以指示所述能量信号用于验证或证实来自选定阳极的收集能量信号。认证能量信号还表示未收集能量信号。例如，关于来自选定阳极的能量信号对认证能量信号进行比较或以其他方式进行分析。像素化辐射检测器图1和图2展示了根据实施例的辐射像素化检测器RPD100的一部分。图1展示了RPD100的侧视图，并且图2展示了RPD100的外围视图。RPD100包括半导体板102。半导体板102可以包括CZT、CMT、HgI、Si、GaAr、Si、Ge等。半导体板102包括第一表面104和第二表面106。单片阴极接触件108覆盖在半导体板102的第二表面106上。RPD100的阴极接触件108由负高压例如，“-HV”来偏置。表示RPD100的多个像素的像素化阳极110覆盖在第一表面104上。像素化阳极110被示出为具有尺寸为“W×W”且间距为“P”的方形形状。另外地或可替代地，像素化阳极110可以是圆形、三角形、矩形等。RPD100具有基于半导体板102的尺寸的厚度“D”，所述半导体板被设计成吸收包括光子例如，光子141可以被分组成多个光子140的辐射，所述光子具有在电离辐射例如，X射线和或伽马射线辐射范围内的能量。当光子141与RPD100相互作用时发生事件，并且光子141被半导体102吸收。所吸收光子141在吸收了光子141的像素化阳极110处生成收集能量信号。可选地，像素化阳极110可以表示和或包括RPD100的像素、体素等。另外，与收集能量信号例如，收集阳极相邻的像素化阳极110生成未收集能量信号。像素化阳极110各自可操作地耦合至相应电子通道111。另外地或可替代地，电子通道111可以可操作地耦合至多于一个像素化阳极110。电子通道111被配置成对来自像素化阳极110的收集能量信号和未收集能量信号进行处理并形成输出电压信号。电子通道111包括电荷灵敏前置放大器CSP109。CSP109被配置成将像素化阳极110的电势钳位到与CSP109的虚拟地电压相等的电压。例如，CSP109将像素化阳极110的电压钳位到零和或近似为零的电势。图3是根据实施例的图2中示出的RPD100的扩展部分100A。所述扩展部分由图2中示出的框112表示。RPD100被示出为与X、Y笛卡尔坐标系126对齐。扩展部分100A包括像素化阳极110例如，阳极113、114、116、118、119、122、120。像素化阳极113、114、116、118和119沿笛卡尔坐标系126的X坐标和或平面对齐。阳极116、120和122沿X、Y笛卡尔坐标系126的Y坐标和或平面对齐。扩展部分100A包括半导体板102的侧壁101。侧壁101具有在第一表面104与第二表面106之间的厚度D。RPD100的扩展部分100A包括收集阳极116内的事件124。光子140之一被收集阳极116吸收，从而产生事件124。外围阳极114、118与收集阳极116直接相邻。例如，外围阳极114、118沿X坐标位于收集阳极116的相反侧。在另一个示例中，外围阳极120、122沿Y坐标位于收集阳极116的相反侧。外围阳极114、118、120、122生成表示未收集能量信号的信号，所述信号由电子通道111来接收。事件124位于收集阳极116内的坐标X，Y处。所述坐标是相对于基于吸收了光子141的收集阳极116的原点位置来确定的。例如，事件124的坐标基于相对于收集阳极116的位置。沿X坐标和Y坐标的值是相对于收集阳极116的中心处的原点测量的。电子通道图4是根据实施例的具有可操作地耦合至控制器电路136的电子通道111的RPD100的实施例的示意图220。控制器电路136可以包括至少一个处理器。可选地，控制器电路136可以包括中央处理单元CPU、一个或多个微处理器、专用集成电路、或能够根据特定逻辑指令对输入数据进行处理的任何其他电子部件。可选地，控制器电路136可以包括和或表示包括、连接、或者既包括又连接一个或多个处理器、控制器和或其他基于硬件逻辑的设备的一个或多个硬件电路或电路系统。另外地或可替代地，控制器电路136可以执行存储在有形且非暂态计算机可读介质例如，存储器138上的指令。电子通道111可以包括一个或多个处理器。可选地，电子通道111可以包括中央处理单元CPU、一个或多个微处理器、或能够根据特定逻辑指令对输入数据进行处理的任何其他电子部件。可选地，电子通道111可以包括和或表示包括、连接、或者既包括又连接一个或多个处理器、控制器和或其他基于硬件逻辑的设备的一个或多个硬件电路例如，模拟部件、放大器、比较器、触发器、缓冲器或电路系统。另外地或可替代地，电子通道111可以执行存储在有形且非暂态计算机可读介质上的指令。RPD100的像素化阳极110经由互连131电耦合和或可操作地耦合至电子通道111中的相应电子通道。互连131被配置成将像素化阳极110的电压电势钳位到与图1和图5中示出的电荷灵敏前置放大器CSP109的虚拟地例如，近似为零相等。电子通道111经由互连131接收由像素化阳极110测得的电荷信号。电子通道111被示出为具有不同的通道对，所述不同通道对包括如图5中示出的第一整形器电路135和第二整形器电路142。例如，电子通道111可以包括包含第一通道对111a和第二通道对111b的通道对。第一通道对111a可以包括第一整形器电路135，而第二通道对111b可以包括第二整形器电路142。电子通道111电耦合和或可操作地耦合至读出单元132。读出单元132被配置成：经由电子通道111的输出端221收集从电子通道111接收的电压信号，并且将所述电压信号的模拟值转换成数字值。例如，读出单元132可以包括模数转换器。可选地，读出单元132可以与电子通道111和或控制器电路136集成例如，沿模拟阵列接收。读出单元132被配置成生成与所述每个数字值相关联的数字地址。所述数字地址表示生成了信号例如，收集能量信号、未收集能量信号的像素化阳极110。读出单元132被配置成生成表示来自电子通道111的输出电压信号的数据包146。数据包146可以包括数据头143，所述数据头包含表示像素化阳极110在RPD100上的位置的地址。数据包146包括有效载荷149。有效载荷149包括由读出单元132生成的数字值，所述数字值表示由像素化阳极110产生的电压信号。数据包146经由端口134从读出单元132传输至控制器电路136，并且存储在存储器138中。存储器138中的数据包146由控制器电路136进行分析。例如，控制器电路136被配置成执行存储在存储器138中的一个或多个算法，以判定像素化阳极110的信号是否与收集能量信号和或未收集能量信号相对应。图5是图4中示出的电子通道111的一部分的实施例的示意图。电子通道111被示出为具有双通道对111a-b，所述双通道对可操作地耦合至像素化阳极110中的每一个。通道对111a-b可操作地耦合至CSP109，并且表示电子通道111的不同操作。通道对111a-b被配置成分别包括具有不同峰值时间整形时间的不同整形器电路135和142，并且因此基于产生不同衰减轮廓的不同峰值时间整形时间来并行地和或同时地对从像素化阳极110接收的信号进行衰减。电子通道111的第一通道对111a包括第一整形器电路例如，收集能量整形器电路135、比较器电路137、放大器电路139、以及峰值和保持P&H电路200，上述电路对从互连131接收的信号进行处理。电子通道111的第二通道对111b包括第二整形器电路例如，未收集能量整形器电路142、比较器电路137、放大器电路139、以及P&H电路200，上述电路对从互连131接收的信号进行处理。第一通道对111a和第二通道对111b的操作可以与由一个或多个处理器通过电子通道111和或通过配置的硬件例如，ADC转换器、放大器、滤波器执行的操作相对应。CSP109被配置成对由像素化阳极110生成的电荷信号进行积分。CSP109被配置成将像素化阳极110的电势钳位到与CSP109的虚拟地电压相等的电压。CSP109生成表示经积分的收集能量信号和或经积分的未收集能量信号的积分信号203a-b。由CSP109随时间推移对收集能量信号和或未收集能量信号进行积分以限定积分信号203a-b。例如，积分信号203a表示收集能量信号随时间推移的电压电势。随时间推移，积分信号203a达到稳态值，诸如电压电势。可以对积分信号203a的稳态值进行放电，以允许对像素化阳极110中的下一个事件进行处理。积分信号203a的放电时间基于收集阳极110的事件发生率。所述稳态值表示由像素化阳极110收集的总感应电荷。像素化阳极110的电压电势例如是由CSP109来确定的，所述CSP被配置成将像素化阳极110的电压电势钳位到与CSP109的虚拟地电压相等和或相似的电压。在另一示例中，积分信号203b表示未收集能量信号。未收集能量信号表示与包括事件124的收集阳极116直接相邻的外围像素化阳极110的电压电势。由收集阳极116吸收的光子生成对表示未收集能量信号的外围阳极114、118、120、122的电压电势。可替代地，未收集能量信号未达到作为收集能量信号的稳态值。例如，未收集能量信号具有相对于收集能量信号的较窄脉冲和较高频率。所述较窄脉冲和较高频率基于光子没有被外围阳极114、118、120、122吸收。所述较窄脉冲通常具有在30纳秒至60纳秒之间的上升时间。结合图5，积分信号203b被示出为相对于积分信号203a不具有稳态值，而是具有峰值。在第一整形器电路135处，积分信号203a-b被并行地和或同时地传递至相应第一通道对111a。第一整形器电路135被配置成对积分信号203a-b进行滤波。例如，第一整形器电路135对积分信号203a-b进行滤波以分别形成经滤波信号205a-b。相应第一通道对111a的第一整形器电路135对积分信号203a-b进行衰减以符合衰减轮廓。例如，被安排成提高积分收集信号203a的信噪比SNR的第一整形器电路135包括在250纳秒处具有峰值例如，幅值的衰减轮廓。第一整形器电路135的峰值被配置成与收集能量信号的目标的峰值相对应。例如，经滤波信号205a基于表示收集能量信号的积分信号203a。经滤波信号205a被示出为具有表示高斯形状的峰值。第一整形器电路135基于衰减轮廓的时间常数对收集能量信号进行放大，这提高了收集能量信号的信噪比。可替代地，表示未收集能量信号的经滤波信号205b被第一整形器电路135抑制。例如，未收集能量信号包括窄脉冲和高频率。基于未收集能量信号的电特性，第一整形器电路135对未收集能量信号进行滤波以在250纳秒处达到峰值。响应于由第一整形器电路135进行的衰减，基于峰值失配来抑制经滤波信号205b。例如，积分信号203b的未收集能量信号具有在30纳秒至60纳秒之间的峰值。第一整形器电路135对积分信号203b进行衰减以在250纳秒处达到峰值。第一整形器电路135使积分信号203b移位以在250纳秒处符合峰值，这形成了经滤波信号205b。由第一整形器电路135进行衰减以在250纳秒处匹配峰值减小了幅值并且使积分信号203b失真。例如，经滤波信号205b相对于经滤波信号205a不具有高斯形状。第一整形器电路135被配置成具有太长例如，慢而无法在与积分信号203b的峰值时间相等的时段内遵循积分信号203b的峰值的积分时间常数。例如，经滤波信号205b在其下行方向上遵循积分信号203b，而经滤波信号205b远未达到积分信号203b的峰值，从而导致对积分信号203b的强衰减以形成经滤波信号205b。积分信号203a-b被传递至相应第二通道对111b的第二整形器电路142。第二整形器电路142被配置成基于衰减轮廓来对积分信号203a-b进行滤波。例如，第二整形器电路142对积分信号203a-b进行衰减以形成经滤波信号208a-b。第二整形器电路142对积分信号203a-b进行衰减以符合衰减轮廓。例如，第二整形器电路142包括具有在30纳秒至60纳秒之间的峰值例如，幅值的衰减轮廓，所述峰值与未收集能量信号的电特性相对应。第二整形器电路142被配置成对未收集能量信号进行放大以提高信噪比。例如，相对于经滤波信号205b，如所示出的未利用第一整形器电路135对来自未收集能量信号的经滤波信号208b进行抑制。经滤波信号208b被示出为具有相对于经滤波信号205b不同的峰值和或高斯形状。经滤波信号205a-b、208a-b被传递至比较器电路137。比较器电路137被配置成：将经滤波信号205a-b、208a-b的幅值与预定非零阈值进行比较，或者当所述幅值低于所述预定非零阈值时限制所述幅值。比较器电路137的输出的幅值可以等于或大于经滤波信号205a-b、208a-b的幅值，这取决于比较器电路137的放大。放大器电路139被配置成通过进一步增大幅值来对比较器电路137的输出进行放大。例如，放大器电路139增大比较器电路137的输出的幅值以形成经放大信号。放大器电路139的输出被传递至P&H电路200。P&H电路200被配置成对信号进行放大以保持与输出电压信号206a-b、209a-b的幅值207a-b、210a-b相对应和或有关的最大值。输出电压信号206a-b、209a-b分别包括上升部分、以及峰值和或幅值207a-b、210a-b。输出电压信号206a-b、209a-b由读出单元132来接收。例如，输出电压信号206a、209a表示候选能量信号，并且输出电压信号206b、209b表示认证能量信号。可以注意到，输出电压信号206a-b的幅值207a-b分别基于第一通道对111a的整形器电路135。例如，响应于第一整形器电路135的衰减，电压信号206b的幅值207b相对于幅值207a较小。在另一示例中，响应于第二整形器电路142输出了经滤波信号208b，电压信号209b包括相对于幅值207b较大的幅值210b。输出电压信号206a-b的幅值207a-b分别与209a-b的幅值210a-b之间的关系使得幅值207a大于幅值207b。另外地或可替代地，幅值207a、210a和210b被示出为具有近似的幅值、但具有不同的SNR。数据包146的有效载荷149包括输出电压信号206a-b、209a-b的幅值207a-b、210a-b的数字值，这些数字值被存储在存储器138中。可选地，有效载荷149可以包括CSP109、第一整形器电路135、第二整形器电路142、比较器电路137、放大器电路139、和或P&H电路200的输出的幅值。输出电压信号206a-b、209a-b的幅值207a-b、210a-b表示RPD100的像素化阳极110的电荷。确定收集能量信号和或未收集能量信号控制器电路136被配置成基于来自第一通道对111a的输出电压信号206a-b和第二通道对111b的输出电压信号209a-b针对通过比较器电路137的某个阈值的所触发像素化阳极110中的每一个所触发像素化阳极来形成比率。所述比率如方程1中所示的那样进行限定。例如，控制器电路136基于第一通道对111a的输出电压信号206a-b例如，电压Va与第二通道对111b的输出电压信号209a-b例如，电压Vb之比来限定所述比率。输出电压信号206a-b、209a-b的电压例如，Va、Vb可以表示幅值207a-b、210a-b。控制器电路136将所述比率与存储在存储器138中的阈值比如0.5进行比较。基于所述比率，控制器电路136识别从像素化阳极110接收的信号中的哪些信号与收集能量信号和或未收集能量信号相对应。结合图3，收集阳极116吸收与事件124相对应的光子。控制器电路136确定来自电子通道111的输出电压信号206a-b、209a-b的信号的比率。例如，第一通道对111a的输出电压信号206a包括0.85V的幅值207a，并且第二通道对111b的电压输出信号209a包括0.2V的幅值210a。控制器电路136确定比率为4.25。控制器电路136将比率4.25与存储在存储器138中的阈值进行比较。例如，所述阈值为0.5。响应于比率4.25超过0.5，控制器电路136确定从收集阳极116接收的信号为收集能量信号。控制器电路136从电压信号206a例如，候选能量信号中选择幅值207a作为来自第一通道对111a的收集能量信号。在另一示例中，第一通道对111a的输出电压信号206b包括0.5V的幅值207b，并且第二通道对111b的输出电压信号209b包括1.5V的幅值210b。响应于比率0.33低于0.5，控制器电路136确定从外围阳极114接收的信号为未收集能量信号。控制器电路136从输出电压信号209b例如，认证能量信号中选择幅值210b作为来自第二通道对111b的未收集能量信号。控制器电路136可以在医学成像系统的扫描时间期间针对剩余的所触发像素化阳极110重复上述过程例如，示出在图8中。所述扫描时间可以基于用于对患者执行扫描的、存储在存储器138中的预定时间量。确定事件的位置控制器电路136基于相对于收集阳极116的相邻和或外围阳极114、118、120、122的未收集能量信号来确定事件的位置。结合图3，控制器电路136将从吸收了事件124的收集阳极116接收的信号识别为收集能量信号。控制器电路136将与收集阳极116相邻的外围阳极114、118、120、122识别为未收集能量信号。控制器电路136基于来自相邻和或外围阳极114、118、120、122的未收集能量信号来确定事件124在收集阳极116内的位置。沿X坐标和Y坐标确定位置是基于方程2和方程3来进行的。变量V1和V2表示未收集能量信号的外围阳极114、118、120、122的输出电压信号209b。变量N表示在计算事件124的位置时由于未收集能量信号的噪声而引起的误差。对外围阳极114、118、120、122的选择是基于相对于收集阳极116沿X平面和Y平面的对齐来进行的。例如，方程2用于确定事件沿X坐标的位置。外围阳极114、118相对于收集阳极116沿X平面对齐。变量V1表示外围阳极114的未收集能量信号的输出电压信号209b的幅值210b。变量V2表示外围阳极118的未收集能量信号的输出电压信号209b的幅值210b。在另一示例中，方程3用于确定事件沿Y坐标的位置。外围阳极120、122相对于收集阳极116沿Y平面对齐。变量V1表示外围阳极122的未收集能量信号的输出电压信号209b的幅值210b。变量V2表示外围阳极120的未收集能量信号的输出电压信号209b的幅值210b。电子噪声例如，表示为变量N可以由电子通道111、RPD100等来生成。所述电子噪声表示噪声恶化，所述噪声恶化由控制器电路136用于调整事件124的位置。所述噪声恶化基于RPD100的像素化阳极110的尺寸例如，间距、大小。例如，RPD100可以表示具有1.64毫米间距的CZT检测器。未收集能量信号具有30纳秒的峰值时间。电子通道111的电子噪声的上限为所测得未收集信号的3.3％。RPD100具有1.64毫米的像素大小，并且来自RPD100的噪声贡献的上限为所测得未收集信号的2.8％。基于来自电子通道111和RPD100的噪声的上限，控制器电路136将噪声的上限确定为所测得未收集信号的4.32％。基于噪声的上限为4.32％，控制器电路136确定找到事件124的位置的误差。确定像素化阳极的灰度值图6是RPD100的一部分的实施例的外围视图。例如，控制器电路136将收集阳极116分成子像素116a-p。子像素116a-p之间的划分在图6中以虚线示出。通常，收集阳极116可以被分成由控制器电路136确定的多个虚拟子像素116a-p。子像素116a-p包括在收集阳极116的整个表面上延伸的子像素网格。可以注意到，所展示实施例中的子像素116a-p并非彼此物理分离的，而是虚拟的实体例如，由控制器电路136限定。在名称为“SYSTEMSANDMETHODSFORIMPROVINGIMAGINGBYSUB-PIXELCALIBRATION用于通过子像素校准来改善成像的系统和方法”的美国公开号20170269240中进一步描述了子像素，所述美国公开号通过引用以其全文结合在此。在所展示的示例中，收集阳极116包括总共16个子像素116a、116b、116c、116d、116e、116f、116g、116h、116i、116j、116k、116l、116m、116n、116o和116p的子像素116a-p的4×4网格。可以注意到，所描绘的实施例旨在作为示例，并且在其他实施例中可以采用其他形状和或数量的子像素。例如，所描绘的收集阳极116包括子像素116a-p的4×4网格；然而，在其他实施例中，每个像素可以包括子像素的2×2网格、或子像素的3×3网格等。所展示的实施例中的子像素116a-p中的每一个具有与其相关联的在特定子像素116a-p内相关联的事件数量和或能量例如，被识别为在与特定子像素116a-p相对应的位置处被吸收。控制器电路136被配置成：响应于针对相应子像素116a-p定位的事件数量是基于根据方程2-3确定的这些事件相对于子像素116a-p的位置，确定期望灰度级DG。事件的数量可以被表示为所测得事件的数量相对于子像素116a-p的事件能量的直方图。所述能量可以表示子像素116a-p中的每一个的所测得能量频谱。DG值基于事件的数量和或所测得的频谱能量，所述DG值可以作为查找表存储在存储器138中。例如，DG值的范围可以从零例如，黑色到256例如，白色灰度梯度。像素或子像素的灰度级是根据在预定能量窗口内具有与在成像中使用的同位素的能量相对应的能量的像素或子像素中测得的归一化的事件数量来确定的。在子像素或像素中的归一化的事件数量分别是所述像素或子像素中的事件数量除以所述像素或子像素之一中测得的最大事件数量。等于1的归一化数量与灰度级256相对应。例如，控制器电路136确定子像素116a包括在预定能量窗口内具有所测得能量的64个事件。通过子像素之一测得的最大事件数量被控制器电路136识别为512。因此，子像素116a中的归一化的事件数量为64512＝0.125。因此，控制器电路136为子像素116a指定等于0.125×256＝32的期望灰度级DG。用于识别信号以及事件位置的方法图7是用于识别收集能量信号和或未收集能量信号以及事件的位置的实施例的方法的流程图。方法700例如可以采用本文中讨论的各个实施例例如，系统和或方法的结构或方面。在各个实施例中，可以省略或添加某些步骤或操作；可以组合某些步骤；可以同时执行某些步骤；可以并行执行某些步骤；可以将某些步骤分成多个步骤；可以以不同的顺序执行某些步骤；或者可以以迭代的方式再执行某些步骤或一系列步骤。在各个实施例中，方法700的部分、方面和或变体可以用作用于指示硬件执行本文所描述的一个或多个操作的一个或多个算法。在702处开始，提供RPD100。结合图2，RPD100包括多个像素化阳极110。所述多个像素化阳极110被示出为布置在RPD100的接收表面或第一表面104上的像素化阳极110的网格、矩阵或阵列。在一些实施例中，像素化阳极110和或相关联的处理电路系统响应于在像素化阳极110自身内吸收光子141例如，事件124而生成收集能量信号，并且响应于邻近或相邻像素化阳极110上的由光子在如本文所讨论的生成收集能量信号的其他相邻或邻近像素内的碰撞而引起的感应电荷来生成未收集能量信号。在704处，将RPD100的像素化阳极110中的每一个电耦合至电子通道111。电子通道111包括两个并行通道对111a-b。结合图4，电子通道111电耦合至像素化阳极110中的每一个。结合图5，电子通道111包括两个并行通道对111a-b。第一通道对111a包括第一整形器电路135。第一整形器电路135被配置成基于衰减轮廓来对信号进行衰减。例如，第一整形器电路135对从像素化阳极110接收的信号进行衰减以在250纳秒处具有峰值。另外地或可替代地，第一整形器电路135被配置成基于时间常数来对收集能量信号的信号进行放大，这提高了收集能量信号的信噪比。第二通道对111b包括第二整形器电路142。第二整形器电路142被配置成基于衰减轮廓来对信号进行衰减。例如，第二整形器电路142对从像素化阳极110接收的信号进行衰减以在30纳秒至60纳秒之间具有峰值。另外地或可替代地，第二整形器电路142被配置成基于时间常数来对未收集能量信号的信号进行放大，以提高信噪比。第一通道对111a的输出电压信号206a-b和第二通道对111b的输出电压信号209a-b分别表示为Va和Vb。输出电压信号206a-b、209a-b可以表示幅值207a-b、210a-b。在706处，所述至少一个处理器从像素化阳极110中选择选定阳极例如，选定像素。例如，所述至少一个处理器选择从电子通道111接收数据包146和或信号的选定阳极。所选像素可以是生成信号例如，收集能量信号、未收集能量信号的像素，所述信号足够强以在分别到第一通道对111a的电压输出206a-b和第二通道对111b的电压输出209a-b的路径上超过由比较器电路137设置的门限电平以传送至放大器电路139示出在图5中并且生成控制器电路136的触发示出在图4中。在708处，所述至少一个处理器接收来自选定阳极的信号。例如，所述信号表示来自电子通道111的数据包146。在710处，电子通道111在第一整形器电路135和第二整形器电路142处对来自所述选定阳极的信号进行衰减，以形成候选能量信号和认证能量信号。例如，候选能量信号表示第一通道对111a的输出。候选能量信号由第一整形器电路135进行衰减，由放大器电路139进行放大，并且表示P&H电路200的输出。认证能量信号表示第二通道对111b的输出。认证能量信号由第二整形器电路142进行衰减，由放大器电路139进行放大，并且表示P&H电路200的输出。在712处，所述至少一个处理器判定来自选定阳极例如，像素化阳极110之一的信号是收集能量信号还是未收集能量信号。例如，所述至少一个处理器形成来自第一通道对111a和第二通道对111b的候选能量信号例如，输出电压信号206a-b与认证能量信号例如，输出电压信号209a-b的比率。所述至少一个处理器将所述比率形成为第一通道对111a的候选能量信号与第二通道对111b的认证能量信号的比率。所述至少一个处理器将所述比率与阈值进行比较。例如，所述阈值可以是0.5。在各实施例中，所述阈值可以大于和或小于0.5。响应于所述至少一个处理器确定所述比率大于所述阈值，在714处，所述至少一个处理器将选定阳极的信号指定为收集能量信号。例如，所述至少一个处理器将所述比率与阈值0.5进行比较，以识别来自选定阳极的信号是收集能量信号还是未收集能量信号。所述至少一个处理器确定比率为4.24，这高于阈值。响应于所述至少一个处理器确定比率高于阈值，所述至少一个处理器确定选定阳极是收集像素例如，收集像素116并且吸收了光子141和或包括事件124图3。所述至少一个处理器选择第一通道对111a的候选能量信号例如，输出电压信号206a作为收集能量信号。响应于所述至少一个处理器确定所述比率小于所述阈值，在716处，所述至少一个处理器将选定阳极的信号指定为未收集能量信号。例如，所述至少一个处理器形成来自第一通道对111a和第二通道对111b的外围候选能量信号例如，输出电压信号206a-b与外围认证能量信号例如，输出电压信号209a-b的比率。所述至少一个处理器将所述比率与阈值0.5进行比较，以识别来自选定阳极的信号是收集能量信号还是未收集能量信号。所述至少一个处理器确定比率为0.1，这低于阈值。响应于所述至少一个处理器确定所述比率低于所述阈值，所述至少一个处理器确定像素化阳极110为未收集能量信号。例如，所述至少一个处理器确定选定阳极与吸收了光子141和或包括事件124图3的收集阳极例如，收集阳极116相邻。所述至少一个处理器选择第二通道对111b的认证能量信号例如，电压输出209b作为未收集能量信号。在718处，所述至少一个处理器判定所述扫描是否完成。例如，所述扫描可以持续存储在存储器138中的预定时间量。响应于所述至少一个处理器确定已经经过了所述时间量，所述至少一个处理器确定扫描完成。另外地或可替代地，所述扫描可以在一定量的外围阳极110诸如RPD100中生成认证信号的外围阳极114、118、120、122被检测为与生成收集能量信号的收集阳极110诸如收集阳极116直接相邻时完成。如果所述扫描未完成，则在720处，所述至少一个处理器从RPD100中选择替代像素化阳极110。例如，所述至少一个处理器选择从电子通道111接收数据包146和或信号的替代像素化阳极110。所述信号表示来自电子通道111的电压输出。响应于选择RPD100的替代像素化阳极110，所述至少一个处理器接收来自所述多个像素化阳极110的信号。例如，所述至少一个处理器重复710处的衰减操作以及712处的操作例如，比较操作，以识别一个或多个收集阳极具有收集能量信号并且多个外围阳极例如，与收集阳极相邻具有未收集能量信号。在722处，所述至少一个处理器将收集能量信号的收集阳极116细分成子像素。例如，收集阳极116表示具有收集能量信号的选定阳极。结合图6，所述至少一个处理器确定收集阳极116接收到事件124，这表示收集能量信号。所述至少一个处理器限定收集阳极116的子像素116a-p。例如，在所描绘的实施例中，子像素116a-p是由所述至少一个处理器限定的虚拟子像素116a-p，并且不是物理上分离或区分的。可以注意到，在一些实施例中，子像素116a-p可以是大小均匀并且是对称分布的。可以注意到，在其他实施例中，子像素116a-p可以不是大小均匀的和或可以是沿收集阳极116非对称分布的。在724处，所述至少一个处理器识别事件相对于子像素116a-p的位置。例如，所述至少一个处理器识别RPD100中与收集阳极116相邻的外围阳极114、118、120、122。结合图3，所述至少一个处理器识别与收集阳极116相邻并提供未收集能量信号例如，认证能量信号的外围阳极114、118、120、122。所述至少一个处理器基于方程2-3来确定事件124相对于子像素116a-p的位置。所述至少一个处理器基于根据X、Y笛卡尔坐标系126沿X平面对齐的外围阳极114、118来确定事件124沿X坐标的位置。例如，所述至少一个处理器基于方程2以及来自第二通道对111b的外围阳极114、118的电压输出来确定事件124沿X平面的位置。所述至少一个处理器基于根据X、Y笛卡尔坐标系126沿Y平面对齐的外围阳极120、122来确定事件124沿Y坐标的位置。例如，所述至少一个处理器基于方程3以及来自第二通道对111b的外围阳极120、122的电压输出来确定事件124沿Y平面的位置。在726处，所述至少一个处理器基于每个子像素116a-p中的事件数量来产生期望灰度级DG。例如，所述至少一个处理器在扫描期间确定接收到至少一个事件例如，事件124的子像素116a-p。可以注意到，在实施例中，多于一个像素化阳极110、诸如多个收集阳极可以包括至少一个事件。所述至少一个处理器基于在714处确定的事件相对于子像素116a-p的位置来确定每个子像素116a-p中的事件数量。事件数量和测得的能量由所述至少一个处理器用于为子像素116a-p指定DG值。例如，所述至少一个处理器将事件数量和或测得的能量与存储在存储器中的查找表进行比较，以确定DG值。医学成像系统图8是根据实施例的医学成像系统2100的实施例的示意性框图。例如，医学成像系统2100被示出为核医学NM成像系统。可选地，医学成像系统2100可以是PET、SPECT、MBI等。医学成像系统2100包括安装至门架2104的多个成像检测器2102。成像检测器2102被配置为耦合至门架2104的、在受试者2110例如，患者上方和下方的两个单独检测器阵列2106和2108。检测器阵列2106和2108可以直接耦合至门架2104，或者可以经由支撑构件2112耦合至门架2104以允许整个阵列2106和或2108相对于门架2104移动例如，如图8中看到的在向左或向右方向上平移移动。另外，每个成像检测器2102都包括安装至从门架2104延伸的可移动检测器载体2116例如，支撑臂或可以由电机驱动以使其移动的致动器的检测器单元2114。在一些实施例中，检测器载体2116允许检测器单元2114朝向和远离受试者2110移动，诸如线性地且彼此平行地移动。成像检测器2102可以包括耦合至对应检测器载体2116并具有4cm到20cm的尺寸的一个或多个检测器单元2114，并且可以由碲锌镉CZT、碲锰镉CMT、HgI、Si、GaAr、Si、Ge等的分块和或模块形成。门架2104可以与如所展示的穿过其中的孔2118例如，开口或镗孔一起形成。患者台2120配置有支撑机构未示出，以在孔2118内且相对于成像检测器2102的多个观察位置中的一个或多个观察位置处支撑和承载对象2110。门架2104还可以以其他形状例如，“C”、“H”和“L”来配置，并且可以可围绕受试者2110旋转。每个成像检测器2102具有辐射像素化检测器，所述辐射像素化检测器指向受试者2110或受试者内的感兴趣区域。所述辐射像素化检测器可以包括一个或多个准直器2122。每个成像检测器2102的视野可以通过准直器2122的类型增大、减小或相对不变。在一个实施例中，准直器2122是多镗孔准直器，诸如平行孔准直器。然而，可以可选地或可替代地使用诸如会聚型准直器或发散型准直器等其他类型的准直器。准直器2122的其他示例包括针孔准直器、平行光束会聚型准直器、发散扇形光束准直器、会聚或发散锥形光束准直器、多镗孔会聚型准直器、多镗孔会聚扇形光束准直器、多镗孔会聚锥形光束准直器、多镗孔发散型准直器或其他类型的准直器。在一些实施例中，使用至少两种类型的准直器。可选地，多镗孔准直器可以被构造成与检测器单元2114的像素配准。医学成像系统2100包括控制器单元2130。控制器单元2130被配置成控制患者台2120、成像检测器2102、门架2104、准直器2122等的移动和定位。在获取之前或期间、或在不同图像获取之间的运动范围被设置成维持每个成像检测器2102的实际视野FOV。控制器单元2130可以包括门架电机控制器、台控制器、检测器控制器、枢轴控制器、准直器控制器等。例如，这些控制器可以由控制器电路2136自动命令、由操作者手动控制、或其组合。成像检测器2102可以被定位成基于控制器电路2136检测到的事件而对受试者2110的一部分成像。定位可以由操作者手动完成和或自动完成。在由控制器单元2130对成像检测器2102、门架2104、患者台2120和或准直器2122进行定位之后，由成像检测器2102中正被使用的一个或多个来获取一个或多个图像。由成像检测器2102获取的图像数据可以被组合和重构成合成图像，所述合成图像可以包括二维2D图像、三维3D体或随时间推移的3D体4D。在各实施例中，读出单元2160接收由成像检测器2102产生的电信号数据，并且将此数据转换成数字信号以供后续处理。读出单元2160可以与图4中的读出单元132相类似和或相同。另外地或可替代地，数字信号是由成像检测器2102生成的。除了控制器电路2136之外，可以提供图像重建设备2162和存储器2164。控制器电路2136被配置成控制医学成像系统2100的操作。控制器电路2136可以与图5中的控制器电路136相类似和或相同。控制器电路2136可以包括至少一个处理器。可选地，控制器电路2136可以包括中央处理单元CPU、一个或多个微处理器、或能够根据特定逻辑指令对输入数据进行处理的任何其他电子部件。可选地，控制器电路2136可以包括和或表示包括、连接、或者既包括又连接一个或多个处理器、控制器和或其他基于硬件逻辑的设备的一个或多个硬件电路或电路系统。另外地或可替代地，控制器电路2136可以执行存储在有形且非暂态计算机可读介质例如，存储器2164上的指令。另外地或可替代地，读出单元2160和图像重建设备2162可以与控制器电路2136集成或作为其一部分。另外，可以提供用户输入设备2166以接收用户输入例如，控制命令，并且可以提供显示器2168以便显示图像。在实施例中，提供了一种方法例如，用于识别收集能量信号和或未收集能量信号以及事件的位置。所述方法包括：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号；将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对，所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路；以及在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号。所述方法进一步包括：对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号。所述方法包括：针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作。所述方法包括：将具有所述收集能量信号的所述选定阳极细分成多个子像素；并且基于来自所述多个外围阳极的多个未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。可选地，所述比较操作将所述候选能量信号识别为收集能量信号，其中，所述收集能量信号是从包括所述至少一个事件的至少一个像素化阳极收集的。另外地或可替代地，所述像素化阳极包括与包括所述至少一个事件的所述选定阳极相邻的外围阳极。可选地，所述方法包括：在耦合至所述外围阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减，以形成外围候选能量信号和外围认证能量信号；以及将所述外围候选能量信号与所述外围认证能量信号进行比较，以识别未收集能量信号。可选地，所述比较操作包括将所述比率与阈值进行比较。可选地，所述对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减以及所述比较操作是针对围绕所述选定阳极的多个外围阳极来执行的。可选地，所述对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减包括将所述信号传递通过第一整形器电路和第二整形器电路，所述第一整形器电路和所述第二整形器电路具有用于形成所述候选能量信号并且对应于所述第一整形器电路和所述第二整形器电路的不同的第一衰减轮廓和第二衰减轮廓。可选地，所述方法包括：计算与具有所述收集能量信号的所述选定阳极相邻的像素化阳极的所述未收集能量信号的噪声，并且基于所述噪声以及所述未收集能量信号中与所述选定阳极相邻的所述信号的输出电压来确定所述至少一个事件关于所述多个子像素的位置。可选地，所述识别操作包括基于在所述多个子像素内测得的所述至少一个事件的数量或能量来产生灰度级。在实施例中，提供了一种系统例如，医学成像系统。所述系统包括辐射像素化检测器，所述辐射像素化检测器具有可操作地耦合至相应电子通道的多个像素化阳极。所述系统包括电耦合至具有通道对的所述多个像素化阳极的所述电子通道。第一通道对包括第一整形器电路并且第二通道对包括第二整形器电路。所述系统包括可操作地耦合至所述电子通道的至少一个处理器。所述至少一个处理器被配置成：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号，并且将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对。所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路。所述至少一个处理器被配置成：在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号。所述至少一个处理器进一步被配置成：对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号。所述至少一个处理器进一步被配置成：针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作。所述至少一个处理器进一步被配置成：将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素。所述至少一个处理器进一步被配置成：基于来自所述多个外围阳极的多个未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。可选地，所述至少一个处理器将所述候选能量信号识别为收集能量信号，所述收集能量信号是从包括所述至少一个事件的所述选定阳极收集的。另外地或可替代地，所述像素化阳极包括与包括所述至少一个事件的所述选定阳极相邻的外围阳极。可选地，所述至少一个处理器进一步被配置成：在耦合至所述外围阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减，以形成外围候选能量信号和外围认证能量信号；以及将所述外围候选能量信号与所述外围认证能量信号进行比较，以识别未收集能量信号。可选地，所述至少一个处理器被配置成将所述比率与阈值进行比较。另外地或可替代地，所述阈值为0.5。可选地，所述第一整形器电路和所述第二整形器电路具有用于形成所述候选能量信号并且对应于所述第一整形器电路和所述第二整形器电路的不同的第一衰减轮廓和第二衰减轮廓。可选地，所述至少一个处理器被配置成：计算与所述选定阳极相邻的像素化阳极的所述未收集能量信号的噪声，并且基于所述噪声以及所述未收集能量信号中与所述选定阳极相邻的所述信号的输出电压来确定所述至少一个事件关于所述子像素的位置。另外地或可替代地，所述至少一个处理器被配置成基于在所述子像素内测得的事件数量或能量来产生灰度级。在实施例中，提供了一种包括一个或多个程序化指令的有形且非暂态计算机可读介质，所述程序化指令被配置成指示一个或多个处理器。所述一个或多个处理器被指示进行以下操作：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号，并且将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对。所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路。所述一个或多个处理器进一步被指示：在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号。所述一个或多个处理器进一步被指示进行以下操作：对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号；并且将具有所述收集能量信号的所述选定阳极细分成多个子像素。所述一个或多个处理器进一步被指示：针对具有一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作。所述一个或多个处理器进一步被指示进行以下操作：将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；并且基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。可选地，所述一个或多个处理器被指示进行以下操作：将所述候选能量信号识别为收集能量信号，并且所述像素化阳极包括与所述选定阳极相邻的外围阳极；在耦合至所述外围阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减，以形成外围候选能量信号和外围认证能量信号；并且将所述外围候选能量信号与所述外围认证能量信号进行比较，以识别未收集能量信号。可选地，所述一个或多个处理器被指示将所述比率与阈值0.5进行比较。可选地，所述一个或多个处理器被指示基于在所述子像素内测得的事件数量或能量来产生灰度级。可以注意到，各个实施例可以以硬件、软件或其组合来实施。各个实施例和或部件，例如模块、或其中的部件和控制器还可以被实施为一个或多个计算机或处理器的一部分。计算机或处理器可以包括例如用于访问互联网的计算设备、输入设备、显示单元和接口。计算机或处理器可以包括微处理器。微处理器可以连接至通信总线。计算机或处理器还可以包括存储器。存储器可以包括随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。计算机或处理器可以进一步包括存储设备，所述存储设备可以是硬盘驱动器或可移除存储设备，诸如固态驱动器、光盘驱动器等。存储设备还可以是用于将计算机程序或其他指令加载到计算机或处理器中的其他类似装置。如本文中所使用的，术语“计算机”、“子系统”、“控制器电路”、“电路”或“模块”可以包括任何基于处理器或基于微处理器的系统，包括使用微控制器、精简指令集计算机RISC、ASIC、逻辑电路和能够执行本文所描述的功能的任何其他电路或处理器的系统。以上示例仅是示例性的，并且因此不旨在以任何方式限制术语“控制器电路”的定义和或含义。计算机、子系统、控制器电路、电路或模块执行在一个或多个存储元件中存储的指令集以便处理输入数据。存储元件还可以根据期望或需要存储数据或其他信息。存储元件可以是采用处于处理机器内的信息源或物理存储器元件的形式。指令集可以包括指示计算机、子系统、控制器电路和或电路以执行特定操作、诸如各个实施例的方法和过程的各种命令。指令集可以采用软件程序的形式。软件可以采用各种形式，诸如系统软件或应用软件，并且可以被实施为有形且非暂态计算机可读介质。进一步地，软件可以采用单独程序或模块的集合、较大程序内的程序模块、或程序模块的一部分的形式。软件还可以包括采用面向对象编程的形式的模块化编程。处理机器对输入数据的处理可以是响应于操作者命令，或者响应于之前处理的结果，或者响应于由另一处理机器做出的请求而进行的。如本文中所使用的，“被配置成”执行任务或操作的结构、限制或元件以对应于所述任务或操作的方式在结构上被特别形成、构造或调整。出于清晰和避免疑惑的目的，仅能够被修改成执行任务或操作的对象不“被配置成”执行所述任务或操作，如本文所使用的。相反，使用如本文所使用的“被配置成”表示结构调整或特性，并且表示被描述为“被配置成”执行任务或操作的任何结构、限制或元件的结构要求。例如，“被配置成”执行任务或操作的控制器电路、电路、处理器或计算机可以被理解为被特别构造为执行所述任务或操作例如，具有存储于其上或与其结合使用的被定制或预期用于执行任务或操作的一个或多个程序或指令；和或具有被定制或预期用于执行任务或操作的处理电路系统安排。出于清晰和避免疑惑的目的，通用计算机如果被适当编程，其可以变得“被配置成”执行任务或操作不“被配置成”执行任务或操作，除非或者直到被专门编程或结构上修改为执行任务或操作。如本文中所使用的，术语“软件”和“固件”是可互换的，并且包括存储在存储器中以供由计算机执行的任何计算机程序，所述存储器包括RAM存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器和非易失性RAMNVRAM存储器。以上存储器类型仅仅是示例性的，并且因此不在可用于存储计算机程序的存储器类型方面进行限制。应理解的是，以上说明旨在是说明性的，而非限制性的。例如，以上所述的实施例和或实施例的各方面可以彼此组合使用。此外，可以进行许多修改以使具体的情况或材料适应各个实施例的教导而不脱离其范围。尽管本文中所描述的材料的尺寸和类型旨在限定各个实施例的参数，但是它们并非限制性的并且仅是示例性的。对本领域技术人员而言，在阅读了以上说明之后，许多其他的实施例都将是明显的。因此，各个实施例的范围应当参考所附权利要求、连同这种权利要求有权获得的等效物的全部范围来确定。在所附权利要求中，术语“包括including”和“其中inwhich”被用作对应术语“包括comprising”和“其中wherein”的通俗英文等价词。而且，在以下权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅用作标签，并且不旨在对其对象强加数值要求。进一步地，以下权利要求的限制没有以装置加功能的格式被写入并且并不旨在基于35U.S.C.§112f来解释，除非并且直至这种权利要求限制在没有进一步结构的功能阐述之后明确使用短语“用于……的装置”。本书面说明书使用示例来公开各个实施例，包括最佳模式，并且同时也使本领域的任何技术人员能够实践各个实施例，包括制造并使用任何设备或系统以及执行所并入的任何方法。各实施例可获得专利的保护范围由权利要求来限定，并且可以包括本领域技术人员能够想到的其他示例。如果这些示例具有与权利要求的字面语言并非不同的结构要素，或如果这些示例包括具有与权利要求的字面语言非实质性差异的等同结构要素，则这些其他示例旨在处于权利要求的范围内。

权利要求：1.一种方法，包括：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号；将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对，所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路；在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号；对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号；针对包括一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作；将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；以及基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述比较操作将所述候选能量信号识别为收集能量信号，其中，所述收集能量信号是从包括所述至少一个事件的至少一个像素化阳极收集的。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述像素化阳极包括与包括所述至少一个事件的所述选定阳极相邻的外围阳极，所述方法进一步包括：在耦合至所述外围阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减，以形成外围候选能量信号和外围认证能量信号；以及将所述外围候选能量信号与所述外围认证能量信号进行比较，以识别未收集能量信号。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述比较操作包括将所述比率与阈值进行比较。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减以及所述比较操作是针对围绕所述选定阳极的多个外围阳极来执行的。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减包括将所述信号传递通过第一整形器电路和第二整形器电路，所述第一整形器电路和所述第二整形器电路具有用于形成所述候选能量信号并且对应于所述第一整形器电路和所述第二整形器电路的不同的第一衰减轮廓和第二衰减轮廓。7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：计算与具有所述收集能量信号的所述选定阳极相邻的像素化阳极的所述未收集能量信号的噪声；以及基于所述噪声以及所述未收集能量信号中与所述选定阳极相邻的所述信号的输出电压来确定所述至少一个事件关于所述多个子像素的位置。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述识别操作包括基于在所述多个子像素内测得的所述至少一个事件的数量或能量来产生灰度级。9.一种系统，包括:辐射像素化检测器，具有可操作地耦合至相应电子通道的多个像素化阳极；所述电子通道，电耦合至具有通道对的所述多个像素化阳极，其中，第一通道对包括第一整形器电路并且第二通道对包括第二整形器电路；至少一个处理器，可操作地耦合至所述电子通道，所述至少一个处理器被配置成：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号；将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对，所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路；在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号；对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号；针对包括一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个选定阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作；将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；以及基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。10.如权利要求9所述的系统，其中，所述至少一个处理器将所述候选能量信号识别为收集能量信号，所述收集能量信号是从包括所述至少一个事件的所述选定阳极收集的。11.如权利要求10所述的系统，其中，所述像素化阳极包括与包括所述至少一个事件的所述选定阳极相邻的外围阳极，所述至少一个处理器进一步被配置成：在耦合至所述外围阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减，以形成外围候选能量信号和外围认证能量信号；以及将所述外围候选能量信号与所述外围认证能量信号进行比较，以识别未收集能量信号。12.如权利要求9所述的系统，其中，所述至少一个处理器被配置成将所述比率与阈值进行比较。13.如权利要求12所述的系统，其中，所述阈值为0.5。14.如权利要求9所述的系统，其中，所述第一整形器电路和所述第二整形器电路具有用于形成所述候选能量信号并且对应于所述第一整形器电路和所述第二整形器电路的不同的第一衰减轮廓和第二衰减轮廓。15.如权利要求9所述的系统，其中，所述至少一个处理器被配置成：计算与所述选定阳极相邻的像素化阳极的所述未收集能量信号的噪声，以及基于所述噪声以及所述未收集能量信号中与所述选定阳极相邻的所述信号的输出电压来确定所述至少一个事件关于所述子像素的位置。16.如权利要求15所述的系统，其中，所述至少一个处理器被配置成基于在所述子像素内测得的事件数量或能量来产生灰度级。17.一种有形且非暂态计算机可读介质，包括一个或多个程序化指令，所述程序化指令被配置成指示一个或多个处理器进行以下操作：在至少一个事件期间接收来自辐射像素化检测器的像素化阳极的信号；将来自所述像素化阳极的所述信号传递通过相应通道对，所述通道对中的每一对包括第一整形器电路和第二整形器电路；在耦合至选定阳极的所述第一整形器电路和所述第二整形器电路处对来自所述选定阳极的所述信号进行衰减，以分别形成候选能量信号和认证能量信号；对所述候选能量信号与所述认证能量信号的比率进行比较，以识别来自所述选定阳极的所述候选能量信号是收集能量信号还是未收集能量信号；针对包括一个或多个收集阳极以及多个外围阳极的多个阳极来重复所述衰减操作和所述比较操作；将具有所述收集能量信号的所述收集阳极细分成多个子像素；以及基于来自所述多个外围阳极的未收集能量信号来识别所述至少一个事件相对于所述多个子像素的位置。18.如权利要求17所述的有形且非暂态计算机可读介质，其中，所述一个或多个处理器被指示进行以下操作：将所述候选能量信号识别为收集能量信号，并且所述像素化阳极包括与所述选定阳极相邻的外围阳极；在耦合至所述外围阳极的第一整形器电路和第二整形器电路处对来自所述外围阳极的所述信号进行衰减，以形成外围候选能量信号和外围认证能量信号；以及将所述外围候选能量信号与所述外围认证能量信号进行比较，以识别未收集能量信号。19.如权利要求17所述的有形且非暂态计算机可读介质，其中，所述一个或多个处理器被指示将所述比率与阈值0.5进行比较。20.如权利要求17所述的有形且非暂态计算机可读介质，其中，所述一个或多个处理器被指示基于在所述子像素内测得的事件数量或能量来产生灰度级。

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