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申请/专利权人：海光信息技术股份有限公司
摘要：本发明提供一种芯片静态功耗的预测方法及装置，包括：获取待测芯片的当前工作电压；根据待测芯片的静态漏电流与工作电压关系模型以及当前工作电压，得到当前工作电压下的静态漏电流；根据静态漏电流和当前工作电压，得到待测芯片在当前工作电压下的静态功耗。本发明能够获得芯片在特定电压下的静态功耗。
主权项：1.一种芯片静态功耗的预测方法，其特征在于，包括：获取待测芯片的当前工作电压；根据待测芯片的静态漏电流与工作电压关系模型以及所述当前工作电压，得到所述当前工作电压下的静态漏电流；根据所述静态漏电流和所述当前工作电压，得到待测芯片在所述当前工作电压下的静态功耗；其中对于任意一颗待测芯片，该颗待测芯片的静态漏电流与工作电压关系模型的表达式为：Sidd=expa*Vdd+b+c，Sidd为静态漏电流，Vdd为工作电压，a，b，c为模型参数，exp表示以e为底的指数函数，expa*Vdd+b用来模拟指数漏电流，模型参数c用来模拟在指数漏电流之外的额外静态漏电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海光信息技术股份有限公司 芯片静态功耗的预测方法、装置、电子设备和存储介质
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