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申请/专利权人：清华大学
摘要：本申请涉及电子封装技术领域，特别是涉及一种碳化硅铝基复合材料及其制备方法和应用。碳化硅铝基复合材料的制备方法包括以下步骤：将n个碳化硅预制体层叠设置后，热压烧结，制备致密度呈梯度分布的多孔碳化硅，n为≥2的整数；采用渗流法使多孔碳化硅和铝基体形成碳化硅铝基复合材料；n个碳化硅预制体的致密度呈梯度变化，碳化硅预制体的制备方法包括：将硅粉、碳粉和造孔剂混合，压制。上述制备方法制得的碳化硅铝基复合材料具有低热膨胀系数，且碳化硅呈梯度分布。
主权项：1.一种碳化硅铝基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将n个碳化硅预制体层叠设置后，热压烧结，制备致密度呈梯度分布的多孔碳化硅，n为≥2的整数；以及采用渗流法使所述多孔碳化硅和铝基体形成碳化硅铝基复合材料；n个所述碳化硅预制体的致密度呈梯度变化，各个所述碳化硅预制体的制备方法包括：将硅粉、碳粉和造孔剂混合，压制；所述压制为先冷压，再热压，所述热压的压力为0.05MPa～5MPa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 碳化硅铝基复合材料及其制备方法和应用
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