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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

摘要：在此描述了整流器器件。根据一个实施例，整流器器件包括掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体以及布置在半导体本体中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂的一个或多个阱区。因此，一个或多个阱区和周围的半导体本体形成pn结。整流器器件包括阳极端子和阴极端子，阳极端子和阴极端子被通过第一MOS晶体管和二极管的负载电流路径连接，二极管并联连接于负载电流路径。在操作期间，在阳极端子和阴极端子之间施加有交流输入电压。整流器器件包括控制电路，该控制电路被配置为在导通时间段内使第一MOS晶体管开启，在所述导通时间段期间二极管被正向偏置。第一MOS晶体管和二极管被集成在半导体本体中，并且控制电路至少部分地被布置在一个或多个阱区中。整流器器件进一步包括可控阻抗电路，该可控阻抗电路电连接在半导体本体和一个或多个阱区中的第一阱区之间，并且被配置为在半导体本体和第一阱区之间提阻抗电流路径。电流路径的阻抗取决于交流输入电压的瞬时电平。

主权项：1.一种整流器器件，包括：掺杂有第一掺杂类型的掺杂剂的半导体本体100；一个或多个阱区200，300，其被布置在半导体本体100中并且掺杂有第二掺杂类型的掺杂剂；所述一个或多个阱区200，300和周围的半导体本体100形成pn结作为二极管DR；阳极端子A和阴极端子K，被通过第一MOS晶体管MP的负载电流路径和二极管DR连接，二极管DR并联连接于负载电流路径；在阳极端子A和阴极端子K之间可操作地施加有交流输入电压VSUBST；控制电路11，其被配置为在导通时间段TON内使第一MOS晶体管MP开启，在所述导通时间段TON期间二极管DR被正向偏置；第一MOS晶体管MP和二极管DR被集成在半导体本体100中，并且控制电路11至少部分地被布置在所述一个或多个阱区200，300中；和可控阻抗电路121，其电连接在半导体本体100与所述一个或多个阱区中的第一阱区200之间，并且被配置为在半导体本体100和第一阱区200之间提供具有可变阻抗的电流路径，具有可变阻抗的电流路径的阻抗取决于交流输入电压VSUBST的瞬时电平，以使得当交流输入电压VSUBST的瞬时电平为正时具有可变阻抗的电流路径为高阻抗，并且当交流输入电压VSUBST的瞬时电平为负时具有可变阻抗的电流路径为低阻抗。

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