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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种掩膜版图形的修正方法，其中，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。所述掩膜版图形的修正方法能够使辅助图形不易被曝光。
主权项：1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；调整每个所述主图形的辅助图形的图形参数，以调整后的图形参数在每个主图形周围重新设置所述主图形的辅助图形，在曝光过程中，减少重新设置的辅助图形的实际有效关键尺寸；其中，每个所述主图形的辅助图形包括若干散射条，每个所述散射条包括长边和短边；第i个所述第一区的每个主图形的第一模型包括：PWi＝FΦi，Wi，Oi，Li，Pi，并且所述Wi大于或等于掩膜限制规则，所述PWi为对应第i个所述第一区的每个主图形的工艺窗口大小的工艺窗口参数，所述Φi、Wi、Oi、Li和Pi分别为第i个所述第一区的每个主图形的若干散射条不同的图形参数，所述Φi为所述若干散射条中每个散射条的长边与所述第一方向的夹角，所述Wi为所述若干散射条中每个散射条的短边的边长，所述Oi为所述若干散射条中每个散射条的对称中心与该主图形轮廓之间的最小间距，所述Li为所述若干散射条中每个散射条的长边的边长，所述Pi为所述若干散射条的周期。
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