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用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法 

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申请/专利权人:环球晶圆股份有限公司

摘要:本发明涉及用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法。一种处理半导体晶片的方法包括在半导体晶片上沉积硅层。所述硅层具有基本均匀的厚度。所述硅层被抛光以平滑化所述硅层,以使得所述厚度在抛光后基本均匀。

主权项:1.一种处理半导体晶片的方法,包括:在所述半导体晶片上沉积硅层,所述硅层具有基本均匀的厚度;在抛光所述硅层之前确定所述半导体晶片的初始晶片轮廓,其中所述初始晶片轮廓具有非平面形状;基于所述初始晶片轮廓的所述非平面形状修整抛光垫;以及使用所述抛光垫抛光所述硅层以平滑化所述硅层,以使得所述厚度在抛光后基本均匀,并且使得所述半导体晶片具有与所述初始晶片轮廓的所述非平面形状相同的抛光后形状。

全文数据:

权利要求:

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