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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要：本发明公开了一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法，具有一总输入端和总输出端，所述硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路包括一偏压电源、一高速驱动器、一负偏差钳位子电路、一PMOS管和一NMOS管，可在总输出端产生一大电压脉冲信号，用于提高硅基单光子探测器的探测效率，并且，NMOS管和PMOS管轮流交替工作，使整个淬灭与恢复电路具有较低的静态功耗，从而延长使用寿命，并且获得的较快的开关速度以及较短的开启和关断时间有利于降低暗计数以及探测死区时间以及提高硅基单光子探测器的计数率，可适用于门控模式和主动模式的硅基单光子探测器的淬灭与恢复，通用性较强。
主权项：1.一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路，具有一总输入端和总输出端，其特征在于，包括一偏压电源、一高速驱动器、一负偏差钳位子电路、一PMOS管和一NMOS管，所述高速驱动器的输入端为所述总输入端，所述负偏差钳位子电路具有一与所述偏压电源的输出端电连接的第一端、一与所述高速驱动器的输出端电连接的第二端以及一与所述PMOS管的栅极电连接的第三端，所述负偏差钳位子电路的第一端还与所述PMOS管的源极电连接，所述PMOS管的漏极通过一第一电阻与所述NMOS管的漏极电连接，且所述总输出端形成于所述NMOS管的漏极，所述负偏差钳位子电路的第二端还与所述NMOS管的栅极电连接，所述NMOS管的栅极通过一第二电阻接地，所述NMOS管的源极接地；所述负偏差钳位子电路包括一二极管、一第三电阻和一第一电容，所述二极管的负极与第三电阻的一端相连形成所述负偏差钳位子电路的第一端与所述偏压电源的输出端电连接，所述二极管的正极与第三电阻的另一端相连形成所述负偏差钳位子电路的第三端与所述PMOS管的栅极电连接，所述二极管的正极和第三电阻的另一端还与所述第一电容的一端电连接，所述第一电容的另一端形成所述负偏差钳位子电路的第二端与所述高速驱动器的输出端电连接。
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权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法
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