龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京信息科技大学
摘要：本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaNAlN纳米线；GaNAlN纳米线的一端为GaN，GaNAlN纳米线的另一端为AlN，GaNAlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaNAlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaNAlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaNAlN纳米线接触。本发明通过在SiSiO2衬底上生长GaNAlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的InAu电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
主权项：1.一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件，其特征在于，所述中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在所述介质基底层上制备的介质缓冲层；在所述介质缓冲层上沉积GaNAlN纳米线；其中，所述GaNAlN纳米线的一端为GaN，所述GaNAlN纳米线的另一端为AlN，所述GaNAlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；其中，所述GaNAlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿所述GaNAlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在所述介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，所述电极与所述GaNAlN纳米线接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京信息科技大学 纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号