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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：漂移层由碳化硅构成，具有第1导电型。主体区域在漂移层上设置，具有第2导电型。源区域在主体区域上设置，具有第1导电型。栅绝缘膜设置于将源区域和主体区域贯通的至少一个沟槽的各自的内壁。保护层至少具有位于沟槽的下方的部分，与漂移层接触，具有第2导电型。就第1低电阻层而言，与沟槽及保护层接触，在深度方向上跨越沟槽与保护层之间的边界部，具有第1导电型，具有比漂移层高的杂质浓度。就第2低电阻层而言，与第1低电阻层接触，远离沟槽，具有第1导电型，具有比第1低电阻层高的杂质浓度。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，其具备：漂移层，其由碳化硅构成，具有第1导电型；主体区域，其在所述漂移层上设置，具有第2导电型；源区域，其在所述主体区域上设置，具有所述第1导电型；栅绝缘膜，其设置于将所述源区域及所述主体区域贯通的至少一个沟槽的各自的内壁；栅电极，其经由所述栅绝缘膜而设置于各个所述沟槽中；至少一个保护层，其至少具有位于所述沟槽的下方的部分，与所述漂移层接触，具有所述第2导电型；至少一个第1低电阻层，其与所述沟槽及所述保护层接触，在深度方向上跨越所述沟槽与所述保护层之间的边界部，具有所述第1导电型，具有比所述漂移层高的杂质浓度，具有面内方向上的0.1μm以上的宽度；和至少一个第2低电阻层，其与所述第1低电阻层接触，远离所述沟槽，具有所述第1导电型，具有比所述第1低电阻层高的杂质浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 碳化硅半导体装置及其制造方法
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