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动态随机存储器及其制造方法 

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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

摘要:本发明提供一种动态随机存储器及其制造方法,涉及存储器技术领域,该动态随机存储器包括基底以及设置在基底上连接垫和电容器,其中,电容器包括第一电极层,第一电极层具有向基底延伸的延伸部,延伸部包覆在所述连接垫的顶面及侧面。本发明提供的延伸部能够同时包覆在连接垫的顶面和侧面,增加第一电极层与连接垫的接触面积,降低第一电极层与连接垫之间的接触电阻,进而减小动态随机存储器的信号延迟,提高了动态随机存储器的性能,此外,延伸部还可以增加电容孔与连接垫之间的作用力,降低了后续的制作工艺中出现电容器坍塌的风险。

主权项:1.一种动态随机存储器的制造方法,其特征在于,包括如下的步骤:提供基底;在所述基底上形成连接垫,所述连接垫具有朝向所述基底的底面和远离所述基底的顶面,所述连接垫的底面与所述基底接触;在所述连接垫上形成电容器,所述电容器具有第一电极层,所述第一电极层具有向所述基底延伸的延伸部,所述延伸部覆盖所述连接垫的顶面和侧面;其中,在所述基底上形成连接垫的步骤之前,所述制造方法包括:在所述基底上形成介电结构;在所述连接垫上形成电容器的步骤包括:在所述介电结构上形成第一叠层结构;形成贯穿所述第一叠层结构并延伸至所述介电结构中的环形槽;在所述环形槽中形成填充层,所述填充层的上表面与所述第一叠层结构的上表面平齐;在第一叠层结构上形成第二叠层结构;形成贯穿所述第二叠层结构并延伸至所述连接垫的顶面的电容孔,以及去除所述环形槽内的所述填充层,使所述电容孔朝向所述基底的一端与所述环形槽连通;在所述电容孔内形成第一电极层和在所述环形槽内形成延伸部,所述第一电极层的底部与所述连接垫的顶面电连接;所述延伸部覆盖所述连接垫的顶面和所述连接垫的侧面,并与所述第一电极层为一体结构。

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