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申请/专利权人：中锗科技有限公司
摘要：本发明公开了一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法。一种InP晶体生长设备，包括炉体、法兰盖、真空泵和连接管；法兰盖活动连接在炉体顶部，法兰盖与炉体顶部之间设有两道以上的密封圈；法兰盖上设有气孔和观察管；连接管一端与气孔顶部对接连通、另一端设有球阀，真空泵通过管路与连接管的侧壁连通；观察管一端位于法兰盖外侧、另一端穿过法兰盖伸入炉体内；法兰盖内侧中央位置设有可拆卸的籽晶盘；炉体自底部起沿高度方向依次分割为第一温区、第二温区和第三温区；炉体侧壁包括从内到外依次相接的反应釜、保温层、加热层、隔热层和外壳。上述设备，方便观察反应釜内晶体生长情况，保温隔热效果好，密封好，降低了晶体的位错密度，提高了均匀性和良率。
主权项：1.一种InP晶体生长设备，其特征在于：包括炉体、法兰盖、真空泵和连接管；法兰盖活动连接在炉体顶部，法兰盖与炉体顶部之间设有两道以上的密封圈；法兰盖上设有气孔和观察管；连接管一端与气孔顶部对接连通、另一端设有球阀，真空泵通过管路与连接管的侧壁连通；观察管一端位于法兰盖外侧、另一端穿过法兰盖伸入炉体内；法兰盖内侧中央位置设有可拆卸的籽晶盘；炉体自底部起沿高度方向依次分割为第一温区、第二温区和第三温区；炉体侧壁包括从内到外依次相接的反应釜、保温层、加热层、隔热层和外壳，法兰盖、反应釜、外壳和连接管所用材质均为不锈钢，保温层和隔热层所用材质均为硅酸铝保温棉；第一温区加热层的底部设有控温热电偶C1，第一温区加热层的侧壁设有控温热电偶C2；第二温区加热层的侧壁设有控温热电偶C3，第三温区加热层的侧壁设有控温热电偶C4；第一温区加热层的侧壁设有测温热电偶T1，第二温区加热层的侧壁设有测温热电偶T2，第三温区加热层的侧壁设有测温热电偶T3；炉体自底部起沿高度方向依次等高度分割为第一温区、第二温区和第三温区；所述生长设备用于气相法生长InP晶体；生长InP晶体的装料步骤包括：在反应釜内装入高纯InCl284～86%、掺杂剂0～1%和高纯红磷13～15%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中锗科技有限公司 一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法
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